• 1-rasm. Chuqur sathlarni hisobga olgan holda CdS/Si(p) [1] geterostrukturasining asosiy qisminig teskari siljishdagi diagrammasi (E SS
  • Namangan Institute of Engineering and Technology




    Download 15,56 Mb.
    Pdf ko'rish
    bet201/693
    Sana13.05.2024
    Hajmi15,56 Mb.
    #228860
    1   ...   197   198   199   200   201   202   203   204   ...   693
    Bog'liq
    Тўплам

    Namangan Institute of Engineering and Technology 
    nammti.uz 
    10.25.2023
    Pg.183 
    CdS/Si(p) geterostrukturali yarimo`tkazgichning hajmiy zaryad sohasi asosan Si(p) da 
    to`planganligi sababli, kremniyning taqiqlangan zona kengligiga sirt holatlar zichligini hisoblash 
    yetarli bo`ladi. 
    Bunda, Si(p) ni 1-rasmda keltirilgan soha diagrammasi orqali chuqur sathlardagi zaryadlarni 
    taqsimlash jarayonini va namuna p-tipli bo `lganligi uchun sirt holatlardagi energetik sathlarni 
    kovaklar bilan E
    v
    dan boshlab to`lib borayotganligini kuzatish mumkin. Fermi sathini qoidasiga ko`ra, 
    geterochegaradagi energetik sathlar kvazi Fermi sathigacha kovaklar bilan to`lgan bo`ladi. Lekin, 
    kvazi Fermi sathdan yuqori holatlarda esa, energetik sathlar bo`sh hisoblanadi. 
    1-rasm. Chuqur sathlarni hisobga olgan holda CdS/Si(p) [1] geterostrukturasining asosiy 
    qisminig teskari siljishdagi diagrammasi (E
    SS
    - sirt holatlarining chuqur sathlari, E
    t
    -asosiy soha 
    hajmidagi diskret chuqur sathlar) 
    Sirt holatlar zichligini aniqlashda sig`im-kuchlanish (CV) usulidan foydalaniladi. CV 
    xususiyatlarini o`lchashda doimiy kuchlanish geterostrukturaning teskari siljishiga to`g`ri keladi. 1-
    rasmdagi energiya zonalarining egilishini ortishi va hajmiy zaryad sohasini kengayishi teskari 
    kuchlanish qiymatiga to`g`ri proporsional bo`ladi. Shu bilan birga, teskari kuchlanish qiymatini ortib 
    borishi sirt holatlardagi chuqur sathlarni kovaklar bilan to`ldirib borishiga olib keladi. Bu esa albatta, 
    kvazi Fermi sathlarni boshqarishga imkon beradi. Si(p) ni valentlik sohasining spinidan boshlab 
    hisoblanadi. 
    CdS va Si(p) chegarasidagi, yani geterochegaradagi chuqur energetik sathlar teskari kuchlanish 
    bilan bog`lanishini quyidagi ifoda orqali ifodalanadi [1]. 
    E
    SS
    -E
    V
    =q(Ф-V)
    (1) 
    Bunda E
    SS
    – sirtdagi chuqur energetik sathning joriy holatdagi qiymati, q-zaryad miqdori, Ф-
    kontakt potensiallar farqini effektiv qiymati, V-teskari siljish kuchlanishi. 
    Agar, teskari kuchlanish qiymatini maksimal darajaga etkazilsa, 
    𝑉 = 𝑉
    𝑆𝑆
    𝑚𝑎𝑥
    , u holda kvazi Fermi 
    sathini ham Si(p) ni o`tkazuvchanlik sohasiga yetib borishiga olib keladi. Bu esa, E
    SS
    ni E
    C
    ga teng 
    bo`lishiga sabab bo`ladi. Bunda E
    C
    – Si(p) ni o`tkazuvchanlik sohasining tubi hisoblanadi. U holda, 
    E
    SS
    =E
    C
    dan (1) ifoda quyidagicha yoziladi 
    𝐸
    𝐶
    − 𝐸
    𝑉
    = 𝑞(Ф − 𝑉
    𝑆𝑆
    𝑚𝑎𝑥
    )
    (2) 
    𝐸
    𝐶
    − 𝐸
    𝑉
    = 𝐸
    𝑔
    (kremniyni taqiqllangan zona kengligi) ni hisobga olgan holda, (2) dan maksimal 
    teskari kuchlanishni aniqlash mumkin: 
    𝐸
    𝑆𝑆
    𝑚𝑎𝑥
    =
    |𝑞Ф−𝐸
    𝑔
    |
    𝑞
    (3) 
    Yarimo`tkazgichli struktualarga tashqi omillarning ta’siri natijasida, uning xususiyatlari tubdan 
    o`zgaradi. Yarimo`tkazgichlarning asosiy dinamik parametrlaridan biri taqiqlangan zona kengligi 



    Download 15,56 Mb.
    1   ...   197   198   199   200   201   202   203   204   ...   693




    Download 15,56 Mb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Namangan Institute of Engineering and Technology

    Download 15,56 Mb.
    Pdf ko'rish