Namangan Institute of Engineering and Technology
nammti.uz
10.25.2023
Pg.205
Tadqiqotlarda mikroelektronikada keng qo`llaniladigan Al – SiO
2
– n – Si, tipdagi kremniyni
termik oksidlash (KEF – 5, krist. orientasiya <101>) xlorli muxitda (700
0
C, 30 min) olingan
namunalardan foydalanildi. Namuna Si dagi kislorod konsentrasiyasi 3.4·10
17
ni tashkil etgan. Asosiy
tadqiqot metodi sifatida yuqori chastotali qorong`ulik sig`im-kuchlanish xarakteristikasi usulidan
foydalanildi. Tayyorlangan strukturalarning qorong`ulikda 21
0
C temperaturada 150 kGs chastotada
oksidlanish qatlami sig`imiga normallashtirilgan sig`im-kuchlanish xarakteristikasi o`lchash natijalari
xisoblanganda kuchlanishning – 0,5 V qiymati yaqinida sig`im-kuchlanish xarakteristikasining
nomonoton o`zgarishi kuzatiladi.
Xulosa. Demak, MDYa sirtiy holatlar zichligini taqsimlanishi birjinsli emasligiga sabab
yarimo`tkazgich-dielektrik chegara yaqinidagi markaz ekan. Kuchlanish mavjud bo`lmaganda
mazkur markaz neytral bo`ladi. Yuqori inversion kuchlanishlarda esa markaz ionlashib, uni
shakllanish tezligini kamaytiradi. Markaz to`la ionlashganida inversion qatlam zaryadi ortib,
strukturaning o`lchanayotgan sig`imini kamaytiradi.
