Oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi islom karimov nomidagi toshkent davlat texnika universitetining qo‘qon filiali

Download 434,72 Kb.
bet	6/15
Sana	08.12.2023
Hajmi	434,72 Kb.
	#113980

1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 15

Bog'liq
Yarimo`tkazgichlar laboratoriya
7-sinf, 1. Tugun nuqtalar va ularni birlashtiruvchi yoylar to’plami nima, I. Dars mavzusi Kvadrat tenglama va uning ildizlari, eksperimental psixologiya, 11, Iqtisodiy rivojlanish 2 topshiriq (3), tavfsiya, akademik yozuv, 5- sinf texnologiyamonitoring test, AMERIKA VA KANADA LOGISTIKASI, bjskjskjsbsh, mustaqil ishOllonazar, 20 10 6 Fuqaro muhofazasi bo‘yicha mutaxassislarni malakasini oshirishda, moliya bozori. RR, KIBERXAVFSIZLIK ASOSLARI

Laboratoriya ishi № 3 Yarim o‘tkazgichli qatlamlarni epitaksial o‘stirishni tadqiq qilish

Kremniy sirtini tozalash.
Shlifovka va polirovkadan sungra plastina sirti poroshok koldiklari yeglardan tozalanadi.
Buning uchun eritkichlarda va kislotalarda ximiyaviy tozalanadi. Ikkinchi usul fizikaviy tozalash usuli,unda kremniy molekulalari bilan boglangan krishma molekulalariga kizdirish yeki ionli bombardirovka yerdamida katta energiya berib,uchirib yuboriladi.Ultra tovishli uskuna yerdamida poroshok koldiklari trixloretilen,toluol,chetыrexloristыy uglerod eritgichlarida tozalanadi.
Organik moddalar molekulalaridan tozalash uchun sulfat kislota (H₂SO₄) da kaynatiladi.
Metal atomlaridan tozalash uchun HSl va HNO₃ da kaynatiladi,HF da yuviladi. Xamma vakt eng oxirida ionlardan tozalangan (deionizovannыy) suvda yuviladi.Plastina sirtining tozaligini tekshirish usullaridan biri polirovka kilingan sirtni mikroskopda kuzatish. YErug‘lik nuri plastina sirtlariga juda kichik burchak ostida tushadi. Toza joylar korongi bulib iflos joylardan sochilgan nur mikroskobga tushadi va yerug bulib kurinadi.
Boshka usul: plastina sirti xullanganda agar yeglar bulsa suv bir tekis katlam xosil kilmaydi,balki bir kancha bulaklarga ajralib ketadi.

Микроскоп

Laboratoriya ishi № 3
Yarim o‘tkazgichli qatlamlarni epitaksial o‘stirishni tadqiq qilish

Ishdan maksad: Yarim o‘tkazgichli qatlamlarni epitaksial o‘stirishni o‘rganish
Nazariy qism
Yarim o‘tkazgich asboblar va integral mikrossxemalarni yaratishda epitaksial o‘stirish yoki epitaksiya usuli keng qo‘llaniladi. Kristall strukturali tagliklarni qayta ishlash yordamida moddalarni oriyentirlab o‘stirish epitaksiya deyiladi. Bunda o‘tqazilayotgan moddaning tashqi atomlari xosil qilinayotgan kristall panjara bir tekisda joylashishi va butun yuzada xech qanday nosozliklar xosil bo‘lmasligi uchun yetarli energiyaga va taglik yuzasida xarakatlanish xossasiga ega bo‘lishi kerak. Xarorat ortishi bilan taglik yuzasida atomlarning xarakatlanishi tezlashadi. Past xaroratlarda o‘stiriladigan qatlamlar polikristallar xisoblanadi.
Epitaksial qatlamlarni o‘stirishda donor va akseptor aralashmalarni kiritish bilan legirlanadi va p- yoki r-tipli elektro‘tkazuvchan qatlamlar xosil qilinadi.
Agar o‘stirilayotgan epitaksial qatlamlar ximiyaviy tarkib jixatidan taglik moddasidan farq qilmasa gomogen r-p-o‘tishlar olinadi va bu jarayon gomoepitaksiya(grekcha homogenes – birjinsli) yoki avtoepitaksiya (grekcha autos — samo) deb yuritiladi.
Agar o‘stirilayotgan epitaksial qatlamlar ximiyaviy tarkib jixatidan taglik moddasidan farq qilsa geteroepitaksiya (grekcha heteros — boshqa) deb yuritiladi. Bunda geterogen r-p-o‘tishlar olinadi. Misol uchun kremniy monokristall tagligida arsenid galliy qatlamini o‘stirish geteroepitaksiya jarayoni xisoblanadi.
Monokristal tagliklarga epitaksial qatlamlarni ximiyaviy usulda o‘stirish xemoepitaksiya deyiladi. Bunda xosil bo‘lgan oraliq qatlam ximiyaviy tarkib jixatidan taglik va o‘tqazilayotgan moddadan farq qiladi, lekin bir xil kristall tuzilishga ega bo‘ladi. Epitaksial qatlamlar ko‘pincha gaz xolatdagi fazali epitaksiya yoki suyuq xolatdagi fazali epitaksiya usullari yordamida o‘stiriladi.
Gaz xolatdagi fazali epitaksiya yuqori temperaturada gaz (bug‘) fazasida turli xil ximiyaviy reaksiyalar yordamida amalga oshiriladi. Kremniyni epitaksiyalashda vodorod tetroxlorid yordamida tiklash keng qo‘llaniladi:

Epitaksial o‘stirish jarayonlari uzatish, tozalash va gazlarni quritish tizimlariga ega bo‘lgan maxsus qurilmalarda amalga oshiriladi (1-rasm). Ishchi kameraning asosiy elementi kvars truba 2 xisoblanadi. Bunda gaz oqimiga nisbatan qiya joylashgan taglik 5 ustiga kremniyning monokristall tagliklari joylashtiriladi va induktor 3 yordamida 1200-1275°S gacha qizdiriladi.

Download 434,72 Kb.

1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 15

Download 434,72 Kb.