|
O‘rnatilgan tizimlari fanidan 4-amaliy ish topshirig‘i mavzu: Tranzistor, fotoqarshilik va harorat datchigi bilan ishlash. Bajardi
|
| bet | 1/2 | | Sana | 18.05.2024 | | Hajmi | 33,36 Mb. | | #242221 |
Bog'liq ortizim
O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI
RAQAMLI TEXNOLOGIYALAR VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI
TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
Kompyuter injiniringi fakulteti
Sun’iy intellekt kafedrasi
O‘rnatilgan tizimlari fanidan
4-AMALIY ISH TOPSHIRIG‘I
Mavzu: Tranzistor, fotoqarshilik va harorat datchigi bilan ishlash.
Bajardi: 212-21 guruh talabasi
Komilov Barotbek
Tekshirdi: Jurayev D.B.
TOSHKENT – 2024
4-topshiriq
Ishdan maqsad: Tranzistor, fotoqarshilik va harorat datchigi xususiyatlarini o‘rganish va ular haqida ma’lumot olish. Ularni boshqarish uchun datchiklarning ishlash prinsiplari, qurilmaga ulanishi va dastur yozish ko‘nikmalarini hosil qilish
Vazifalar:
Jadvalda berilgan topshiriqlarni bajarish.
Online simulyatorlarda sxemani topshiriq bo‘yicha yig‘ish va dastur yozish
Amaliy ish bo‘yicha hisobot tayyorlash (qisqacha nazariy qism, amaliy qism, kod qismi, ulanish sxemasi rasmlari, xulosa)
Topshiriqlar https://wokwi.com yoki https://www.tinkercad.com onlayn simulyatorlarda amaliy bajarilib hisobotga ulanish sxemasi va dastur kodi ilova qilinishi zarur. Hisobotda dastlab qo‘llanilgan modul va datchiklar haqida umumiy ma’lumotlar keltirilishi va xulosa yozilishi shart. Ishni simulyatorda bajarilgan manzili ilovasi berilishi zarur.
4 - Topshiriq. (Amaliy mashg‘uloti uchun)
Tranzistor (inglizcha: transfer — koʻchirmoq va rezistor) —elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi.
Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tipli va n-tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n oʻtish hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydonli tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi.
Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi.
1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan.
1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli, elektromagnit rele va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi.
Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa XX asrning 70-yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan.
Tarixi
Tranzistorning yaratilishi XX asrning eng muhim voqealaridan biri boʻlib, 1833-yilda ingliz olimi Maykl Faradey yarim oʻtkazgich material — kumush sulfidi bilan oʻtkazgan tajribadan boshlangan yarimoʻtkazgichlar elektronikasi sohasining keskin rivojlanishiga sabab boʻldi.
1874-yil nemis fizigi Karl Ferdinand Braun metall-yarimoʻtkazgich kontaktida bir tomonlama oʻtkazuvchanlik hodisasini aniqladi.
1906-yili injener Grinlif Vitter Pikkard nuqtaviy yarimoʻtkazgichli diod-detektorni ixtiro qildi.
1910-yilda ingliz fizigi Uilyam Ikklz baʼzi bir yarimoʻtkazgichlar elektr tebranishlarini hosil qilishi mumkinligini aniqladi. 1922-yilda esa Oleg Losev, maʼlum kuchlanishlarda manfiy differensial qarshilikka ega boʻlgan diodlarni yaratdi. Ushbu diodlar, keyinchalik, detektorli va geterodinli radiopriyomniklarda qoʻllanildi.
Bu davrning oʻziga xos tomonlaridan biri shunda ediki, u vaqtda yarimoʻtkazgichlar fizikasi hali yetarlicha keng oʻrganilmagan edi. Barcha yutuqlar, asosan, tajribalar tufayli qoʻlga kiritilgandi. Olimlar, kristall ichida qanday fizik hodisalar roʻy berayotganini tushuntirib berishga qiynalishgan. Baʼzida notoʻgʻri xulosalarga ham kelishgan.
Shu bilan birga, 1920-1930-yillarda chet davlatlarda radiotexnika sohasiga elektron lampalar kirib keldi. Bu soha yarimoʻtkazgichlar fizikasiga qaraganda kengroq oʻrganilgan boʻlgani uchun koʻp mutaxassis-radiotexniklar aynan shu sohada ishlagan.. Yarimoʻtkazgichli diodlarga esa moʻrt va „injiq“ qurilmalar sifatida baho berilgan. Oʻsha vaqtlarda yarimoʻtkazgichlarning katta imkoniyatlarini hech kim payqamagan.
Bipolyar va maydoniy tranzistorlar turlicha yoʻllar bilan kashf qilingan.
Dastur kodi
int relayPin = 8;
int ovoz = 7;
int potPin = A0;
void setup() {
pinMode(relayPin, OUTPUT);
pinMode(ovoz, OUTPUT);
pinMode(potPin, INPUT);
Serial.begin(9600);
}
void loop() {
int poten_holat = map(analogRead(A0), 0, 1023, 0, 255);
Serial.println(poten_holat);
if(poten_holat < 128){
digitalWrite(relayPin, HIGH);
noTone(ovoz);
}
else{
digitalWrite(relayPin, LOW);
tone(ovoz, 600);
}
}
https://wokwi.com/projects/397672871312912385
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
O‘rnatilgan tizimlari fanidan 4-amaliy ish topshirig‘i mavzu: Tranzistor, fotoqarshilik va harorat datchigi bilan ishlash. Bajardi
|
