1.3.2 – rasm. Monokristallarni eritmalardan o„stirishning tigyelsiz usullari. a – Varneyl usuli;
b – vertikal sohali eritish; d – “tomchidan” tortish usuli; e – “ko„lmakdan” tortish usuli. 1,5 –
shtoklar, 2 – kristall manba, 3 – erigan kristall, 4 – o„sayotgan kristall, v` va v``– shtoklarning
aylanish tezliklari.
Kristallar o„stirilgandan keyin materiallarga mexanik va kimyoviy ishlov
berish texnologiyasiga o„tiladi.
Yarimo„tkazgichli materiallarni qirqish. Yarimo„tkazgichli
materiallar
asosan yombi ko„rinishda o„stiriladi (slitok). Yombining diametri, vazni, uzunligi
har xil bo„lishi mumkin. Undan tashqari materiallar qattiqligi bilan ham katta farq
qilishi mumkin. Qirqish usullari asosan sim orqali qirqish, olmos yuritilgan gardish
(disk) orqali qirqish va nisbatan yangi usul lazer nuri yordamida qirqishlarga
bo„linadi. Bu usullarni ishlatish davomida asosan
qirqish jarayonida hosil
bo„ladigan chiqindilarni kamaytirish, qirqish jarayonida plastinalar sifatini saqlash
va qirqish samaradorligini oshirishga ahamiyat beriladi.
Kimyoviy ishlov berish. Bu texnologik jarayon davomida asosan
yarimo„tkazgichli materiallar yuzasiga ta‟sir qilinadi va ular qatoriga kimyoviy va
mexanik sayqal berish, kimyoviy tozalash va kimyoviy yemirish jarayonlari kiradi.
Ishlov berish tartibi quyidagilardan iborat: taglikka o„rnatish, yuvish va shliflash.
Sayqallash jarayoni quyidagi tartibda olib boriladi. Avvaliga namuna
taglikka o„rnatiladi, keyin shlifovka jarayonida ishlatilgan dastgohga yoki alohida
dastgohga yumshoq matoh (M: baxmal, zamsh, batist, satin va shunga o„xshashlar)
tortiladi. So„ngra namuna matohga ma‟lum bosim bilan yarimo„tkazgichli material
kontaktga keltiriladi va ma‟lum tezlikda aylantiriladi 60 – 100 ayl/min. Matoh
bilan namuna orasiga tarkibida olmos bo„lgan suspenziya (olmos
pastalar asosida
tayyorlangan quyuq massa) quyiladi. Ishlatiladigan asosiy olmos pastalar markalari
ASM 3, ASM 1. va hokazolar. Ishlov berish sifati va darajasi optik mikroskop
yordamida nazorat qilinadi. [4]
Kimyoviy yemirish jarayoni. Yarimo„tkazgichli materiallar sirtida mexanik
ishlov natijasida hosil bo„lgan deformatsiya bo„lgan
qatlamlarni sof yuza
chegarasigacha olib tashlash uchun ishlatiladi. Ayrim hollarda yarimo„tkazgich
qalinligini kamaytirishda ham ishlatiladi. Kimyoviy yemiruvchilar uch turga
bo„linadi:
1.
Selektiv (tanlovchi) yemiruvchilar. Bular yordamida kerakli ma‟lum
kristallografik yo„nalishdagi yuzalarni, sirtlarni chiqarish mumkin.
2.
Sayqallovchi yemiruvchi. Bu izotropik, ya‟ni har xil yo„nalishda
o„zgarmas ma‟lum yemirish tezligiga ega bo„lgan yemiruvchi.
3.
Noselektiv yemiruvchi. Bu yemiruvchi material yuzasini nisbatan
sayqallaydi va yuzada notekisliklar ham hosil qiladi.
Yemiruvchilar tayyorlash uchun ximikatlar ularning
tozaligiga qarab tanlab
olinadi. Ximikatlar tozaligiga qarab quyidagi turlarga bo„linadi. Τ – texnik toza,
XCh – ximiyaviy toza, ChDA – analiz uchun toza, OSCh – alohida spektral toza.
Keyingi texnologiya – Quyosh elementi tuzilmalariga omik kontaktlar olish
texnologiyasi.
Agar yarimo„tkazgich va metall orasidagi kontaktning volt – amper
xarakteristikasi noldan boshlab kuchlanishning katta qiymatlariga teng
kT largacha
(
V>>kT) chiziqli xususiyatga ega bo„lib, tok kuchini qarama – qarshi tomonga
o„zgartirilganda ham bu qonuniyat saqlansa, kontakt omik deb hisoblanadi. [1]
Omik kontaktga qo„yiladigan talablar. Omik kontakt quyidagi xususiyatlarga
ega bo„lishi shart:
a) katta elektr o„tkazuvchanlikka;
b) yuqori issiqlik o„tkazuvchanlikka;
c) mexanik mustahkamlikka.
Quyosh elementlariga kontakt olish jarayonining o„tkazilish
tartibi
quyidagicha amalga oshiriladi:
– Si p – n tuzilmasini kontakt olishga tayyorlash (kimyoviy yoki kimyoviy –
mexanik usul bilan kontakt olinadigan yuzani tozalash);
– strukturaga fotorezist o„tqazish;
– fotoshablon yordamida kontakt rasmini tushirish;
– fotorezistni mustahkamlash;
– vakuum qurilmasidan foydalanib ketma – ketlik bilan kontakt materiallarini
uchirish;
– kontakt adgeziyasini yaxshilash uchun kontaktga issiqlik bilan ishlov berish;
– fotorezistni yuzadan olib tashlash;
– kontakt kesim yuzasini oshirish uchun qalaylash;
– frontal yuzadan nur qaytarishini kamaytirish uchun uni oksid bilan qoplash;
– Quyosh elementi tuzilmasidan shunt beradigan qismlarni kesib olib tashlash;
– Quyosh elementining parametrlarini o„lchash.
