|
O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi I. Karimov nomidagi toshkent davlat texnika universiteti “elektronika va avtomatika” fakulteti
|
| bet | 7/16 | | Sana | 30.05.2024 | | Hajmi | 1,35 Mb. | | #257854 |
Bog'liq 999 ДИПЛОМ СОБИРЖОНОВ3.7. SCH_CAP_SYMS oilasi.
oilasi shartli grafik tasvirlarni toplamiga kiradi va ularga ko’pincha o’rnatiladigan elementlarda foydalanadilar: saqlagich – FUSE, cho’g’lanma lampa – LAMP, svetodiod – LED, foto diod va foto tranzistor – FOTODIODE, FOTOTRANSISTOR, potensio metr – POTENTIOMETER, ikki qutbli o’chirgich - normal ulangan, normal uzilgan rele va uzib ulangan kontaktlari bilan - RELAY_NONC, moslanadigan rezistor – RTD.
Oilaga shuningdek normal uziq normal uloq uzib ulagichlar va uzib ulaguvchi kontaktlar kiradi - metal – oksid – yarim o’tkazgich strukturasiga ega bo’lgan maydon tranzistori - o’zgaruvchan sig’imli kondensator - va o’zgaruvchan induktivlikga ega bo’lgan g’altak - bu shartli belgilanishlarni “tayyorlashlarda” va tegishli elementlarni modelni yaratishda foydalanish mumkin. Elementni modullash vaqtida bu oyladan foydalanish mumkin emas.
4. TRANSISTOR guruhi.
TRANSISTOR lar guruhiga hozirgi vaqtda chiqarilayotgan tranzistor hillarini amalda barchasi kiritilgan. Bu guruhga quyidagi oilalar kiradi:
. TRANSISTOR_VIRTUAL – virtual tranzistor;
. - n-p-n va p-n-p hildagi silliq Bi qutubiy tranzistorlar va shunday tranzistorlarni matritsalari (to’plamlari) .
. - darlington sxemalari (tarkibiy tranzistorlar) n-p-n,p-n-p hildagi bi qutubiy tranzistorlarda matritsalar va ularni asosida yeg’ilgan;
- n-p-n va p-n-p hildagi rezistorli tranzistorlar.
- zatvori izalatsiyalangan bi qutubiy tranzistorlar;
metal – oksid – yarim o’tkazgich strukturasiga ega bo’lgan tranzistorlar (Metal – Oxide – Semiconductor) n va p kanalli katta quvvatli MOYAO tranzistorlar, shuningdek ketma – ket ulangan koplimental juftlar;
- n va p o’tishidan boshqariladigan maydon tranzistorlari;
- bir o’tishli (dasturlanadigan) tranzistorlar yoki ikki bazali diodlar;
- issiqlik (termik modellar).
Virtual tranzistorlar orasiga – TRANSISTOR_VIRTUAL ushta va to’rtta chiqishli n-p-n va p-n-p hildagi tranzistorlar, p va n o’tishli boshqariladigan maydon tranzistorlari ( ), shuningdek galiy arsenide bazasida yaratilgan p va n hilli kanalga ega bo’lgan tez ishlaydigan maydon tranzistorlari ( ), bu tranzistorlarni haraktiristikalari ularni modellar bilan to’liq aniqlangan. Bi qutubiy tranzsitorlarni ushta va to’rtta chiqishlarga ega bo’lgan modellarni hossalari shu bilan farq qiladiki ohirgisi SUB qo’shimcha chiqishiga ega.
Bu oylaga shuningdek n va p hilli sakkizta tranzsitor kiradi, ushta va to’rtta chiqishli metal – oksid – yarim o’tkazgich strukturasiga ega bo’lgan (izalatsiyalangan asos bilan) ( ) mikro elektronika bo’yicha o’zimizning nashrlarimizda MOYAO va KMOYAO abbareyaturalar ko’pincha uchraydi, strukturalarni bildiradi (metal – oksid (achitqi) – yarim o’tkazgich) va bunday strukturali tranzistorlarni komplimentar juftlik.
Bunday tranzistorlar uchun konstruktiv parametrlarni aniqlash imkoniyati ko’zda tutilgan (rasm 1), bu tranzsitor hossalariga ularni ta’sirini tatqiq qilish imkonini beradi. Hususan foydalanuvchu konalni kengligi va uzunligini o’rnatishi mumkin – Channel length va channel witdh, stok va istokni deffuziya yuzasi – Drain diffusion va istok va stokli o’tishni peremetri - va va boshqalar.
Rasm 1. Virtual maydon tranzistorini parametrlarini kiritish darchasi.
Oilaning barcha virtual tranzistorlarini hujjatdan joylashtirish mumkin virtual elementlarni Transistor Components panelini tegishli tugmalardan foydalanib. Panelni faolashtirish uchun View menyusidan Toolbars buyrug’idan foydalanish kerak bo’ladi.
Bi qutubli tranzistorlar oilasiga - p-n-p va n-p-n hildagi tranzistorlarning sanoat ishlab chiqariladigan yuzlab hillari kiradi. Har bir tranzistor turli elektrodlarni orasidagi kuchlanish toklar (o’zgarmas va impulsli) tok bo’yich kuchaytirish koeffisienti tez ishlash (kuchaytirishni chegaraviy chastotasi) sochilayotgan quvvati, ishlash sharoiti ko’rpusni turi va boshqalar bilan ifodalanadi.
Tranzistorli matritsalarni oilasini elementlari BJT_ARRAY – bu qoidaga ko’ra n-p-n yoki p-n-p hildagi kichik quvvatli tranzistorlarni bir nechtasi, ular bitta ko’rpusda joylashgan. Qayd etilgandek bu oilani tranzistorlari chiqarilayotgan boshqa seriyalari kabi modellarda aniqlangan va ularni o’zgartirish uchun modellarni tahlil qilish kerak. Bunda qandaydur boshqa tranzistorni olamiz. Tranzistordan effektiv foydalanish uchun har qanday oilani ularni elektr parametrlari sohasini va ayniqsa qo’llanilishinin bilish kerak bo’ladi.
Sxema elementlari va - n-p-n, p-n-p hildagi va ularni asosidagi matritsali bi qutubiy tranzistorlar Darlington sxemasida ko’pchilik tranzistorlarda yuqorida ko’rib chiqilgan oilalardan asosan tok bo’yicha kuchaytirish koeffisientini kattaligi bilan farq qiladi. Loyxalashni soddalashtirish loyxalanayotgan qurilmalarni tuzilishini tayyorlash uchun qarshilik joylashtirilgan tranzistorlar chiqariladi, ular bazavoy emitter orasiga va tashqi chiqish va baza orasiga ulangan. Bunday to’plamlar - oilaga birlashtirilgan – rezistorga ega bo’lgan n-p-n va p-n-p hildagi tranzistorlar.
Tranzistorlarni IGBT oilasi (kuchlanish bilan boshqariladigan Bi qutubli va maydon tranzistorini kombinatsiyasi) seriyalab ishlab chiqariladigan yuzga yaqin tranzistorlarni o’z ichiga oladi. Bu tranzistorlarni haraktiristikalari ularni modellari bilan to’liq aniqlangan.
Hozirgi kunda turli sxemalarda izalatsiyalangan elektron vositasida boshqariladigan va p-n o’tishdan boshqariladigan (shu bilan bir qatorda quvvatli) moydon tranzistorlaridan foydalaniladi. Tayanch kutubxona paketida tuzilishiga ishlash mexanizimiga kanal turiga ishchi kuchlanish va toklarga ular yuqorida sanab o’tilgan bir necha oilalarga tasvirlangan. Bu tranzistorlar ketma – ket ulangan komplimental juftlarni ham qo’shganda shuningdek seriyalab ishlab chiqariladiganlarni, ularni haraktiristikalari modellari bilan to’liq aniqlanadi.
UJT (Unijunction Transistors) oilasi – bir o’tishli (boshqariladigan tranzistorlar yoki ikki bazali diodlar ikkita elementga ega (2N6027 va 2N6028). Bu elementlarni tuzilishi tiristor tuzilishi bilan o’xshash. Integral taymerlar keng tarqalgunicha ikki bazali diodlar generatorni qurish uchun foydalanilgan. Elementlar N – simon VAX ga manfiy qarshilikli siga ega. Bu haraktiristikani aniqlovchi parametr bo’lib minimal maksimal tok va unga mos keluvchi kuchlanish hisoblanadi.
Issiqlik (termik) modellar oilasiga – THERMAL_MODELS yagona elementni modeli kiradi, MOSFET o’tish tranzistorini turli modellarida ajralib chiqadigan issig’likni baholash imkoniyatini beradi. Tranzistorni nazorat o’tishini tanlash qaynoq klavishchaga (jim turish bo’yich T) ketma – ket osilishida amalga oshiriladi, uni berish mumkin Value hujjatini dialog darchasida element hossasi deyilgan.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi I. Karimov nomidagi toshkent davlat texnika universiteti “elektronika va avtomatika” fakulteti
|
