|
Toza va legirlangan yarim o‘tkazgichlarda zaryad tashuvchilarning statistikasi
|
| bet | 20/52 | | Sana | 19.02.2024 | | Hajmi | 1,96 Mb. | | #158642 |
Bog'liq O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m 2.6. Toza va legirlangan yarim o‘tkazgichlarda zaryad tashuvchilarning statistikasi
Alohida toza yarim o‘tkazgich materiallami olish usullari juda ko‘p. Biroq ularni eng samarali va ko‘p qo‘llaniladigani zonali suyultirish usulidir. Kristallizatsion tozalov kirishmalami segregatsiya hodisalari, ya’ni kirishmalami suyuq va qattiq fazalarda eruvchanligi bir xil bo‘lmasligiga asoslangan. Qattiq va suyuq fazalarda kontaktlanuvchi kirishmalar konsentratsiyasining nisbati taqsimot koeffitsiyenti deyiladi. Taqsimot koeffitsiyentining qiymati yarim o‘tkazgich kirishmaning holat diagramasidan aniqlanadi. Bunda, kirishma komponentini kiritish natijasida toza moddaning erish haroratsi kamaysa, unda kirishmaning (taqsimot koeffitsiyenti birdan kichik. Amalda bunday holat keng tarqalgan.
Misol tariqasida, germaniy va kremniy juda ko‘pchilik kirishmalarning taqsimot koeffitsienti birdan kichik. Shuning uchun, yo‘nalishli kristallanishda ular eritma hajmidan fazalar oralig‘i chegaradan samarali qochadi. Germaniyni zonali tozalash jarayoni vodorod, inert gazlar, yoki inert gaz bilan vodorod aralashmasi atmosferasida o‘tkaziladi. Tozalashga qo‘yilgan quyma grafit qayiqchaga o‘rnatilib, uni uzluksiz himoya gazi o‘tib turgan kvarts turbaga joylashtiriladi.
Yuqori chastotali generator bilan ta’minlangan indikator yordamida kengligi 40-50 mm bo‘lgan suyulgan kichik zona olinadi va tezligi 50-100 mkm/s bo‘lgan aravacha quyma bo‘ylab harakatlanadi. Quyma uzunligi 1000 mm va undan uzun bo‘lishi mumkin. Talab darajasidagi tozalik bir yo‘nalishga aravachani 5 — 8 marta o‘tkazish bilan erishiladi. O‘tishlar sonini oshirish bilan tozalik oshib ketmaydi, chunki qotishmadan va o‘rab turgan atmosferada vaqt o‘tishi bilan kirishmalarni kirish ehtimolligi oshib ketadi. Tozalov jarayonini tezlashtirish uchun quyma uzunligi bo‘yicha suyultirish zonasini bir necha joyda hosil qilinadi. Bu holda, qizdirgichni bitta o‘tkazish bir necha o‘tishga farqlanadi.
Zonali suyultirishda taqsimot koeffitsiyenti, birdan kichik bo‘lgan kirishmalar suyuq zonada ushlanib qoladi va u bilan birga quymani dumi tomon to‘planib qoladi. Jarayon tugagandan so‘ng quymani dumi kesib olinadi. Quymani sifati materialning solishtirma qarshiligini o‘lchash bilan amalga oshiriladi. Yarim o‘tkazgichli toza kremniyni olish texnologiyasiga quyidagi operatsiyalar kiradi:
1) texnik kremniyni tozalovdan so‘ng tiklanishi mumkin bo‘lgan uchuvchi birikmaga aylantirish;
2) birikmani fizik va kimyoviy tozalash;
3) birikmani ajralgan toza kremniy bilan tiklanishi;
oxirgi kristalizatsion tozalash.
Yarim o‘tkazgichlar ishlab chiqarishda polikristal kremniy olishning keng tarqalgan usullaridan trixlorsilan SiHCl3 ni vodorodli tiklanishidir. Trixlorsilan SiHSl3 ni olish uchun 300 — 400 °C haroratda maydalangan texnik kremniy quruq vodorod xloridda ishlovdan o‘tkaziladi. Trixlorsilanning qaynash harorati 320 °C dir. Shuning uchun, u ekstraksiya, adsorbsiya va rektifikatsiya usullari bilan oson tozalanadi. Kremniyni vodorodli tiklanishi quyidagi sxema bo‘yicha olib boriladi. Vodorod oqimi yordamida tozalangan xlorsilan bug‘i bug‘lantirgichdan tiklanish kamerasiga o‘tkaziladi.
Kamerada toza kremniydan tayyorlangan hamirturish maxsus tok o‘tkazgichlar joylashgan. Bu tayoqchalar elektr toki yordamida 1200 — 1300 °C haroratgacha qizdiriladi. Hamirturushga ajralgan kremniyning o‘tirishi kerakli diametrdagi toza polikristalini beradi. Yarim o‘tkazgichli monokristallar yarim o‘tkazgichli asboblar va integral mikrosxemalarni yaratilishida katta ahamiyatga ega bo‘lgan va bo‘lib qolmoqda. Qatlamni legirlash kirishma elementini tashkil etuvchi bug‘ birikmalari yordamida amalga oshiriladi. Nisbatan uncha yuqori bo‘lmagan ishchi harorat va kristallanishni kichik tezligi epitaksial qatlamni yuqori tozalikda va takomillashgan strukturani olish imkonini beradi.
Elektron-kovak o‘tishli epitaksial qatlamni olish integral mikrosxemalarni izolyatsiyalash (ajratish) uchun keng qo‘llaniladi. Ko‘pchilik hollarda integral mikrosxemalarni tayyorlashda kremniyli epitaksial qatlamlari monokristal dielektrik tagliklarga ham o‘tqaziladi. Bunday tagliklar sifatida: sapfir (A1,03), shpinel (MgO), berelliy oksidi (BeO), kvarts (SiO,) va boshqa moddalardan ham foydalaniladi. Dielektrik qatlamlarda kremniy epitaksiyasini olish integral mikrosxemalar elementlarini ideal izolyatsiyasini olish imkoniyatini yaratib beradi.
Zamonaviy elektronika elementlarini olish texnologiyasini tanlash ularga quyilgan talablarga bog‘liq bo‘lib, bular jumlasiga asosan materialning tozaligi kiradi. Misol uchun, yarim o‘tkazgichli materialning teskari yo‘nalishdagi qo‘yiladigan kuchlanish materialning solishtirma qarshiligiga bog‘liq bo‘lib, ρ~0,1 Om sm bo‘lgan Ge (Si) da Utesq 1,0-1,5V bo‘lgan pe’zoelektrik material olish mumkin. Bunday Ge (Si) materialida 100 ta kirishma atomiga 1,5 103 Ge (Si) atomi to‘g‘ri kelsa, kirishmalar sonini 100 marta kamaytirilsa (ρq50 Om sm) Utesq 500 V ga teng bo‘lgan material olish mumkin.
Shuning uchun yarim o‘tkazgichli materiallar asosida ishlatiladigan texnik asboblarda moddalar tozaligi nuqtai nazaridan materiallar uch toifaga bo‘linadi. A – toifaga oddiy klassik kimyoviy tahlil yo‘li bilan aniqlanishi mumkin bo‘lgan A1 – 99,9% tozalikka ega bo‘lgan va A11-99,99% tozalikka ega bo‘lgan materiallar kiradi. V – toifa V3 va V6 larga bo‘linadi. Bunday moddalar alohida toza va o‘ta toza deyiladi (10-3-10-6% aniqlikda kirishmalar). Keyingi eng toza toifa bo‘lib S7-S10 ga mansub bo‘lib tozalik darajasi 10-7-10-10% dir.
Zamonaviy elektronika elementlari o‘stirish usulini tanlash ularning fizik va kimyoviy xususiyatlarini o‘rganishga bog‘liqdir. Agar moddaning erish harorati yuqori, kimyoviy aktiv va bug‘ bosimi katta bo‘lsa, bunday moddalar kristallini o‘stirish juda qiyin. Ularni bug‘ fazasi yoki eritmalaridan kichik o‘sish tezliklarida o‘stirish maqsadga muvofiq bo‘ladi. O‘stirish jarayoni haroratini juda aniq o‘lchashga, moddalar taqsimotini nazorat qilishga, gaz holatidagi komponentlar bosimini doimiy miqdorda saqlashga va qurilmaning mexanik qismlari ishini aniq nazorat qilishga to‘g‘ri keladi.
|
| |
