|
O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. M. Nishonova elektronikaning fizik asoslari o‘quv qo
|
| bet | 36/52 | | Sana | 19.02.2024 | | Hajmi | 1,96 Mb. | | #158642 |
Bog'liq O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi mTunnel teshilish. Teskari tok hosil bo‘lishida termogeneratsiya natijasida hosil bo‘lgan elektr zaryad tashuvchilardan tashqari, p — sohaning valent zonasidan n — sohaning o‘tkazuvchanlik zonasiga tunnel o ‘tuvchi elektronlar ham qatnashishi mumkin. Elektronlarning o‘z energiyasini o‘zgartirmasdan (izoenergetik) potensial to‘siq orqali sizib o ‘tishi tunnel o‘tish deb ataladi. Tunnel o ‘tish bo‘lishi uchun ikkita shart bajarilishi zarur:
a) potensial to‘siq kengligi d≤ 10 nm bo ‘lishi, ya’ni p-n —sohalarda kiritmalar konsentratsiyasi 5 * dan yuqori bo‘lmog‘i lozim;
b) teskari kuchlanish ta'sirida energetik zonalar shunday surilsinki, p — sohaning to‘ldirilgan valent zonasi qarshisida n — sohaning o‘tkazuvchanlik zonasi to‘ldirilmagan satxlari yotsin.
27-rasm. Ko‘chkili teshilishda M va larning ga bog’liqligi.
Teskari kuchlanish bo‘sag‘aviy kuchlanishdan katta bo‘lgan ( > ) holda p-n —o ‘tishning energetik diagrammasi 28- rasmda keltirilgan. Bunda, elektronning 1 nuqtadan 2 nuqtaga tunnel o ‘tishi strelka bilan ko‘rsatilgan. p — yarim o‘tkazgichning valent zonasidagi elektron elektron zaryad tashuvchilar emas ekanligini ta’kidlab o‘tamiz. U n —yarim o‘tkazgichning o‘tkazuvchanlik zonasiga o‘tgandan keyingina o‘zini electron zaryad tashuvchidek tutadi. Shunday qilib, valent elektronning p — sohadan n - sohaga tunnel o‘tishi natijasida teskari tok qiymatiga ulush qo‘shuvchi elektron-kovak juftligi generatsiyalanadi.
28-rasm. Teskari kuchlanish berilganda — o‘tishning energetik diagrammasi.
O‘tkazuvchanlik elektronlarining n - yarim o‘tkazgichdan p - yarim o‘tkazgich valent zonasi vakant (bo‘sh) satxlariga tunnel o‘tishi elektron-kovak juftliklaming rekombinatsiyalanishiga va o‘z navbatida, teskari tokning kamayishiga olib keladi. Elektron-kovak juftliklarining generatsiyalanish jadalligi rekombinatsiyalanish jadalligiga nisbatan ancha yuqori.
Teskari kuchlanish ortishi bilan tunnellashuv intervali (oralig‘i) va undagi elektronlar soni ortishi hisobiga tunnel tok keskin ortadi. Tunnel teshilish teskari tokining teskari kuchlanish ga bog‘liqligi ko‘chkili teshilishdagiga o‘xshash bo‘lib , tikligi kichikroqdir.
p-n o ‘tishning issiqlik teshilishi undan teskari tok oqqanida issiqlik yetarlicha sochilmasligi natijasida p-n o ‘tish qizib ketishi hisobiga yuz beradi. Qizish teskari tok qiymatini oshiradi, natijada p-n o‘tish yanada ko‘proq qiziydi, oqibatda p-n o‘tish ishdan chiqadi.
|
|
Bosh sahifa
Aloqalar
Bosh sahifa
O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. M. Nishonova elektronikaning fizik asoslari o‘quv qo
|
