|
P-n o`tishning ulanishi reja: p -n o‘tishning hosil bo‘lishi
|
| bet | 1/6 | | Sana | 05.01.2024 | | Hajmi | 21.3 Kb. | | #130906 |
Bog'liq P-n o`tishning ulanishi reja p -n o‘tishning hosil bo‘lishi-fayllar.org Proyektiv metodika seminar ishlanma, 1639723204, SSD 1 OOAD lec, 24.4.44-dars. ona tili“Kitobdo‘konida”rasmiasosidakichikhikoyatuzish.118-120-mashqlar 2021-04-14 17 03 38, Kurs Loyihasi Elektr yuritma Elamonova Momojon, 21423, 1. Germaniya tarixiy maktablarining o`ziga xos xususiyatlari, 2.1-mavzu, Mavzu Bardoshli parollarni generatsiyalash dasturini ishlab chi, 2-top, Harry Potter and Goblet of Firemm, Lecture №6, Musiqiy ta`limning tamoyillari maqsad va vazifalari
P-n o`tishning ulanishi reja: p -n o‘tishning hosil bo‘lishi
P-N O`TISHNING ULANISHI
Reja:
P -n o‘tishning hosil bo‘lishi
P-n o‘tishning to‘g‘ri va teskari ulanishlari
P–n o‘tishning volt – amper xarakteristikasi (VAX)
P-n o‘tish sig‘imi
P-n o‘tishning teshilish turlari
1. P -n o‘tishning hosil bo‘lishi
Yarim o‘tkazgichli asboblarning ko‘pchiligi bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgichlardan tayyorlanadi. Xususiy xolatda bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgich bir sohasi p–turdagi, ikkinchisi esa n-turdagi monokristaldan tashkil topadi.
Bunday bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgichning p va n – sohalarining ajralish chegarasida hajmiy zaryad qatlami hosil bo‘ladi, bu sohalar chegarasida ichki elektr maydoni yuzaga keladi va bu qatlam elektron – kovak o‘tish yoki p-n o‘tish deb ataladi. Ko‘p sonli yarim o‘tkazgichli asboblar va integral mikrosxemalarning ishlash printsipi p-n o‘tish xossalariga asoslangan.
P-n o‘tish hosil bo‘lish mexanizmini ko‘rib chiqamiz. Soddalik uchun, n– sohadagi elektronlar va p– sohadagi kovaklar sonini teng olamiz. Bundan tashqari, har bir sohada uncha katta bo‘lmagan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar miqdori mavjud. Xona temperaturasida p–turdagi yarim o‘tkazgichda akseptor manfiy ionlarining kontsentratsiyasi Na kovaklar kontsentratsiyasi pr ga, n–turdagi yarim o‘tkazgichda donor musbat ionlarining kontsentratsiyasi Nd elektronlar kontsentratsiyasi nn ga teng bo‘ladi. Demak, p- va n–sohalar o‘rtasida elektronlar va kovaklar kontsentratsiyasida sezilarli farq mavjudligi tufayli, bu sohalar birlashtirilganda elektronlarning p –sohaga, kovaklarning esa n-sohaga diffuziyasi boshlanadi.
Diffuziya natijasida n– soha chegarasida elektronlar kontsentratsiyasi musbat donor ionlari kontsentratsiyasidan kam bo‘ladi va bu soha musbat zaryadlana boshlaydi. Bir vaqtning o‘zida p-soha chegarasidagi kovaklar kontsentratsiyasi kamayib boradi va u aktseptor kiritmasi bilan kompensatsiyalangan ion zaryadlari hisobiga manfiy zaryadlana boshlaydi (8a–rasm). Musbat va manfiy ishorali aylanalar mos ravishda donor va akseptor ionlarini tasvirlaydi.
Hosil bo‘lgan ikki hajmiy zaryad qatlami p-n o‘tish deb ataladi. Bu qatlam
harakatchan zaryad tashuvchilar bilan kambag‘allashtirilgan. Shuning uchun uning solishtirma qarshiligi p- va n–soha qarshiliklariga nisbatan juda katta. Ba’zi adabiyotlarda bu qatlam kambag‘allashgan yoki i – soha deb ataladi.
Hajmiy zaryadlar turli ishoralarga ega bo‘ladilar va p-n o‘tishda kuchlanganligi
E ga teng bo‘lgan elektr maydon hosil qiladilar. Asosiy zaryad tashuvchilar uchun
bu maydon tormozlovchi bo‘lib ta’sir ko‘rsatadi va ularni p-n o‘tish bo‘ylab erkin harakat qilishlariga qarshilik ko‘rsatadi. 8 b-rasmda o‘tish yuzasiga perpendikulyar bo‘lgan, X o‘qi bo‘ylab potentsial o‘zgarishi ko‘rsatilgan. Bu vaqtda nol potentsial sifatida chegaraviy soha potentsiali qabul qilingan.
– rasm
Rasmdan ko‘rinib turibdiki, p-n o‘tishda voltlarda ifodalanadigan kontakt
|
| |
