Raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al xorazmiy nomidagi toshkent axborot

Download 0,65 Mb. Pdf ko'rish
bet	5/14
Sana	08.06.2024
Hajmi	0,65 Mb.
	#261652

1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 14

Bog'liq
Elektronika va sxemalar 2

3.2

Kanali qurilgan MDYa – tranzistor

5–rasmda
n
– turdagi kanali qurilgan MDYa tranzistor tuzilmasi (
a
) va uning
shartli belgisi (
b
) keltirilgan.
Agar
U
ZI

= 0 bo‘lganda
U
SI

kuchlanish o‘rnatilsa, u holda kanal orqali
elektronlar hisobiga tok oqib o‘tadi. Zatvorga istokka nisbatan manfiy kuchlanish
berilsa, kanalda ko‘ndalang elektr maydon yuzaga keladi va uning ta‘sirida kanaldan
elektronlar itarib chiqariladilar. Kanal elektronlar bilan kambag‘allashib boradi,
uning qarshiligi ortadi va stok toki kamayadi. Zatvordagi manfiy kulchlanish qancha
katta bo‘lsa, bu tok shuncha kichik bo‘ladi. Tranzistorning bunday rejimi
kabag‘allashish rejimi
deb ataladi.
Boyish rejimida stok xarakteristikalari
U
ZI
=
0 da olingan boshlang‘ich
xarakteristikadan - yuqorida, kambag‘allashish rejimida esa – pastda joylashadi (6
b
- rasm).

7
7
a)
b)
6– rasm.
S, Ri va statik differensial parametrlar xuddi p
–n
–o‘tish
bilan
boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagi (5), (7) va (8) ifodalardan mos
ravishda aniqlanadi.
Xarakteristika tikligi va ichki qarshilik barcha turdagi maydoniy
tranzistorlardagi kabi qiymatlarga ega bo‘ladi. Kirish qarshiligi va elektrodlararo
sig‘imlarga kelsak, MDYa – tranzistorlar p
-n
o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy
tranzistorlardagiga nisbatan yaxshi ko‘rsatkichlarga ega. R
ZI
kirish qarshiligi bir
necha darajaga yuqori bo‘lib 10
12
-10
15
Om ni tashkil etadi.
Elektrodlararo sig‘imlar qiymati
S
ZI
, S
SI

lar uchun -10 pF dan,
S
ZS

uchun -2 pF
dan ortmaydi. Bu ko‘rsatkichlar tranzistor inersiyasini belgilaydilar.

Download 0,65 Mb.

1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 14

Download 0,65 Mb.

Pdf ko'rish