8
8
Agar
R
G
va kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligi qiymatlari bir – biriga
yaqin bo‘lsa, signal manbaining turi hisoblash aniqligiga ta‘sir ko‘rsatmaydi. Agar
R
G
kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligidan ancha katta bo‘lsa, 6.1
b
- rasmda
keltirigan signal manbaidan, aks holda esa 6
a
-rasmda keltirigan signal manbaidan
foydalanish tavsiya etiladi.
Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan
kuchaytirgich bosqichi sxemasi 7 – rasmda keltirilgan.
Sxemani tahlil qilganda, tranzistor holati kirish kuchlanishi bilan
boshqarilganda uzatish xarakteristikasi (8-rasm), chiqish xarakteristikalar oilasi
hamda kirish xarakteristikalar oilasidan foydalanish qulay.
5– rasm.
8 – rasm.
Uzatish xarakteristikasi - kollektor toki
I
K
ning baza – emitter kuchlanishi
U
BE
ga bog‘liqligi eksponensial funksiya bilan approksimatsiyalanadi.
Kirish signali mavjud bo‘lmaganda kuchaytirgich bosqichi sokinlik rejimida
bo‘ladi. Sokinlik rejimida kollektor – emittter kuchlanishining doimiy tashkil
etuvchisi
U
КЭ
E
П
IK RK
.
Kirishga o‘zgaruvchan kirish signalining musbat yarim davri berilsa, baza toki
ortadi va u kollektor toki o‘zgarishiga olib keladi. Bu holat uzatish xarakteristikasi
(37-rasm) dan ko‘rinib turibdi. Kollektor toki
I
K
ning
U
BE
kuchlanishiga bog‘liq
ravishda o‘zgarishi
