|
Reja: Tranzistorlar
|
| bet | 4/5 | | Sana | 14.02.2024 | | Hajmi | 116,32 Kb. | | #156371 |
Bog'liq Bipolyar tranzistorlarni ulanish sxemasi. (2)W L sharti albatta bajarilishi kerak (L-bazadagi asosiy bo`lmagan zaryad tashuvchilarning diffuziya uzunligi).
Bipolyar tranzistorning ishlashi uchta asosiy hodisaga asoslangan:
emitterdan bazaga zaryad tashuvchilarning injektsiyasi;
bazaga injektsiyalangan zaryad tashuvchilarni kollektorga o`tishi;
bazaga injektsiyalangan zaryad tashuvchilar va kollektor o`tishga
etib kelgan asosiy bo`lmagan zaryad tashuvchilarni bazadan kollektorga ekstraktsiyasi.
Emitter o`tish to`g`ri yo`nalishda siljiganda (UEB kuchlanish manbai bilan ta`minlanadi) uning potentsial to`siq balandligi kamayadi va emitterdan bazaga elektronlar injektsiyasi sodir bo`ladi. Elektronlarning bazaga injektsiyasi, hamda kovaklarni bazadan emitterga injektsiyasi tufayli emitter toki IE shakllanadi. Shunday qilib, emitter toki
IE Iep*Ier
bu erdaIep, Ier mos ravishda elektron va kovaklarning injektsiya toklari.
Emitter tokining Ier tashkil etuvchisi kollektor orqali oqib o`tmaydi va zararli hisoblanadi (tranzistorning qo`shimcha qizishiga olib keladi). Ier ni kamaytirish maqsadida bazadagi aktseptor kiritma konsentratsiyasi emitterdagi donor kiritma konsentratsiyasiga nisbatan ikki darajaga kamaytiriladi.
Emitter tokidagi Ien qismini injektsiya koeffitsienti aniqlaydi.
IepIE
Bu kattalik emitter ishi samaradorligini xarakterlaydi ( =0,990-0,995). Injektsiyalangan elektronlar kollektor o`tish tomon baza uzunligi bo`ylab elektronlar zichligining kamayishi hisobiga bazaga diffuziyalanadilar va kollektor o`tishga yetgach, kollektorga ekstraktsiyalanadilar (kollektor o`tish elektr maydoni hisobiga tortib olinadilar) va IKn kollektor toki hosil bo`ladi.
Zichlikning kamayishi
|
| |
