“p” tipli (pozitiv-sözündən),  elektron keçiriciliyi çox olanlara isə  “n”




Download 4,11 Mb.
Pdf ko'rish
bet66/100
Sana03.06.2024
Hajmi4,11 Mb.
#259676
1   ...   62   63   64   65   66   67   68   69   ...   100
Bog'liq
Elektrotexnikimateriallar-drsvsaiti20201

“p”
tipli (pozitiv-sözündən), 
elektron keçiriciliyi çox olanlara isə 
“n”
tipli (negativ sözün-
dən) yarımkeçirici deyilir. Yarımkeçiricilərdə deşik keçiricili-
yini artıran aşqarlara “akseptor”, elektron keçiriciliyini artıran-
lara isə ”donor” aşqarı deyilir. Silisium və germanium üçün 
“akseptor” üç valentli indium, qallium, alüminium, “donor”
kimi isə 5 valentli fosfor, arsen və ya sürmə ola bilər. 
Yarımkeçirici cihazların tətbiq sahəsi, imkanları və keyfiyyəti, 
ilk növbədə, istismar olunduğu temperatur və təzyiq diapazo-


117 
nundan, işçi materialda qeyri-əsas yükdaşıyıcıların konsentra-
siyasından, yüyürüklüyündən, yaşama müddətindən, diffuziya 
uzunluğundan, həmin materialın təmizlik və bircinslik 
dərəcəsindən, fotokeçiriciliyinin spektral paylanmasından, ayrı-
ayrı fiziki parametrlərinin radiasiyaya qarşı davamlılığından, 
elektrik və maqnit sahəsindən asılılığından effektiv şüalanma 
enerjisinin qiymətindən və s. asılıdır. Aşqar keçiriciliyi aşağı 
temperatur diapazonunda üstün rol oynadığından, yüksək tem-
peraturlarda p-n keçidli cihazların (diod, tranzistor, tiristor və 
s.) normal işi pozulur. Yarımkeçirici cihazların maksimal işçi 
temperaturu işçi materialın qadağan olunmuş zonasının eni, və 
ya aşqar səviyyələrin enerji dərinliyi ilə təyin olunur. Hal-
hazırda müasir texnologiyaların köməyilə yarımkeçirici cihaz-
ların işçi temperaturunu 500ºS-ə qədər yüksəltmək olur. Bipol-
yar tranzistorların tezlik xarakteristikası, ilk növbədə, sərbəst 
elektron və deşiklərin baza oblastındakı yüyürüklüyünün 
qiyməti ilə müəyyən olunur və yüyürüklük böyük olanda tran-
zistorun maksimal generasiya tezliyi də böyük olur. Bipolyar 
tranzistorları hazırlamaq üçün qeyri-əsas yükdaşıyıcıların dif-
fuziya uzunluğunun (L0) optimal qiymətə malik olduğu 
yarımkeçirici materiallardan istifadə etmək lazımdır və L1 
tranzistorun baza oblastının qalınlığından böyük olmalıdır. 
Tranzistorlardan impuls sxemlərində istifadə edildikdə injeksi-
ya olunmuş yükdaşıyıcıların sorulma müddətini minimuma 
endirmək üçün, işçi materialda qeyri-əsas yükdaşıyıcıların 
yaşama müddətini kiçiltmək lazımdır. Bu isə, öz növbəsində, 
həmin yarımkeçirici materialda diffuziya uzunluğunun kiçik 
qiymətə malik olmasına səbəb olur. Yarımkeçiricilər elektroni-
kasının əsas məsələlərindən biri, tranzistorun kollektor 
keçidinin və diodun 
p-n
keçidinin deşilmə gərginliyinin böyük 


118 
olmasıdır. Bu isə, öz növbəsində, cərəyan sıxlığının 
p-n
keçidinin hər yerində eyni olmasını tələb edir. Yarımkeçirici 
materiallarda makroqeyribircinsliyin və defektlərin mövcud-
luğu keçidin deşilmə gərginliyinin kiçilməsinə səbəb olur.
Yarımkeçiricilərdə elektrik cərəyanı metallarda olduğu 
kimi, yükdaşıyıcıların hərəkəti (dreyf) ilə əlaqədardır. Lakin 
metallarda sərbəst elektronların olması metal rabitəsinin təbiəti 
ilə 
əlaqədardırsa, 
yarımkeçiricilərdə 
yükdaşıyıcıların
yaranması bir sıra amillərə, başlıcası isə materialın kimyəvi
təmizliyi və temperaturu ilə əlaqədardır. Təmizlik 
dərəcəsindən asılı olaraq yarımkeçiricilər məxsusi və aşqarlı 
yarımkeçiricilərə bölünür. 

Download 4,11 Mb.
1   ...   62   63   64   65   66   67   68   69   ...   100




Download 4,11 Mb.
Pdf ko'rish

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



“p” tipli (pozitiv-sözündən),  elektron keçiriciliyi çox olanlara isə  “n”

Download 4,11 Mb.
Pdf ko'rish