Tayyorladi: Jorayev Rajabning Elektronika va sxemalar fanidan tayyorlagan mustaqil ishi

Tayyorladi: Jog Bolsman doimiysi, T Fermi sathi energiyasi. W =W F boiganda f(W F)= 0,5 ekanligi koldirilm aslik ehtimolligini, yapgina stabilitronlar uchun ruxsat etilgan sochiluvchi quvvat (0,1-^0,8) kVt gacha b o zgarganda, qiymati deyarli o tranzistorlar.IMSlarda asosan zatvori izolyatsiyalangan va kanaliinduksiyalangan MDYallaniladi. Tranzistor kanallarip-vanlishi mumkin. MDYallaniladi, ya tuzilmalarda amalga oshiriladi. Agar dielektriksifatida SiO2qotranzistorlar deb ataladi.MDYa biridan izolyatsiya qilishoperatsiyasi mavjud emas, chunki qobiriga yotishlar bilan izolyatsiyalangan. Shusababli MDYabiriga juda yaqin joylashishi mumkin, demak kattazichlikni ta epitaksialtexnologiyada yasaladi.Planar texnologiyadan-pturdagi yarimolgan maxsusmaskalar orqali mahalliy legirlash amalga oshiriladi. Maska rolini plastina sirtiniegallovchi kremniy ikki oksidi SiO2osiridakiritma atomlarini yarim otkazgichning sirt qatlamiga singadilar.

MDYa tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash

• Integral mikrosxema (IMS)larning turlari va elementlari. Bugungi kunda alohida mikrosxemalar birlashtirilgan tarzda ishlab chiqarilmoqda. Bunday mikrosxemalarga integral mikrosxemalar (IMS) deyiladi. Birinchi IMSlar 1958 yilda yaratilgan boirligi kam, energiya sarfi kichik, ishonchliligi yuqori hisoblanadi. 1965 yildan buyon mikroelektronikaning rivoji G. Mur qonuniga muvofiq bormoqda, yalgan oYUIS) va giga yuqori (GYUIS) IMSlar ishlab chiqarilmoqda. IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik. Konstruktiv belgisi- IMSning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jihatdan birlashtirilgan va yagona qobiqqa joylashtirilgan bolanishlar yagona texnologik siklda bajariladi. Shu sababli integral mirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarxga ega. Hozirgi kunda yasalish turi va hosil bora IMSlarning uchta prinsipial turi mavjud: yarim olumotlar. Signal manbai quvvati yetarli boiladi. Akustik tizimlar, elektron-nur trubkalar, keyingi kuchaytirgich kaskadning kirishi va boshqalar yuklama bozgartiradi. Mikrofon, detektor, fotoqabulqilgich, avvalgi kuchaytirgich qurilma chiqishi va boshqalar kirish signallari manbai bogrinishda oni chiqish kuchlanishi qiymati kuchaytirgich ishlayotgan sha-roitga, xususan, yuklama qarshiligi va kirish signali manbaining ichki qarshiligiga boglmasligi kerak.
• Bu shart ideal kuchaytiirgichlardagina bajariladi. Ularning chiqishida cheksiz quvvat ajraladi va kirishda mutlaqo energiya sarflanmaydi. Real kuchaytirgich xususiyatlari esa ideal kuchaytirgich xususiyatlariga biroz yaqinlashadi.

Analog kuchaytirgich qurilmalarining asosiy xususiyatlari

• Kuchaytirgich deb, manba energiyasini kirish signali qonuniyatiga mos ravishda chiqish signali energiyasiga ominlash uchun ideal kuchaytirgich osirida qarshiligini chiziqli olishi zarur. Lekin hozirgi kungacha qarshiligini chiziqli olgan boshqariluvchi element sifatida BT va MTlar ishlatiladi. Nochiziqli VAXga ega boliq bolib VAXining nochiziqligi va temperaturaga bogrsatilgan bop kaskadli kuchaytirgich yoki OK kuchaytirgich bolgan signal manbai (datchik) ulanadi. Datchik EYuK generatorli YeG ekvivalent ikki qutblilik (3,a-rasm) yoki ichki qarshiligi RG borsatiladi.
• Agar RKIR>>RG botiborga olmasa boladi. RKIR< botiborga olmasa ham bo RG bostoni, 2013. 447 b.
• 5.Hozir.org
• Azgurs.com
• Google

http://fayllar.org

Download 12,97 Kb.