80
Tashqi teskari kuchlanish elektronlarni n-sohaning ichkarisiga suradi, buning
natijasida siyraklashgan
p-n
-o‘tish
sohasining, ya’ni zaryad tashuvchilardan
mahrum bo‘lgan va mazmunan dielektrik hisoblanadigan yarim o‘tkazgich
qatlamining kengayishi bo‘lib o‘tadi. Teskari kuchlanish ortganida siyraklashgan
qatlamning qalinligi ortadi. Buni tekis kondensator ko‘rinishida
tasvirlash
mumkin, bunda kondensatorning qoplamalari bo‘lib, yarim o‘tkazgichning
siyraklashmagan zonalari va dielektrikning o‘zgaruvchan qalinlikli qatlami xizat
qiladi.
Tekis kondensatorning sig‘imi uchun formulaga muvofiq qoplamalar
orasidagi masofaning ortishi bilan (teskari kuchlanish qiymatining
ortishi keltirib
chiqaradigan)
p-n
-o‘tishning sig‘imi kamayadi. Bu kamayish bazaning qalinligi
orqali cheklangan, siyraklashgan qatlamning
qalinligi keyinga orta olmaydi,
sig‘imning bu minimumiga erishilgandan keyin teskari kuchlanishning ortishi
bilan sig‘im o‘zgarmaydi. Sig‘imning boshqariladigan kamayishini cheklovchi
boshqa omil siyraklashgan qatlamning ko‘chkisimon teshilishi hisoblanadi.
p-n-p
-o‘tishli bipolyar tranzistordagi uchta nuqtali sxema bo‘yicha yig‘ilgan
LC
-generator signalini chastotaviy modulyatsiyalashni ta’minlaydigan varikapdagi
modulyator variantlaridan birining prinsipial sxemasi 5.12- rasmda keltirilgan.
Qaralayotgan
sxemada
LC
-generatorning aktiv elementi
VT1
tranzistorda
yig‘ilgan. Bu tranzistor o‘zgarmas tok bo‘yicha umumiy emitterli sxema bo‘yicha,
o‘zgaruvchan tok bo‘yicha esa umumiy bazali sxema bo‘yicha ulangan, chunki
bazaning elektrodi
korpusning shinasiga
S2
kondensator orqali ulangan.
VT1
tranzistor ishchi nuqtasining holati bo‘lgich qarshiliklarining qiymatlari va
nisbatlari orqali aniqlanadi. Uning tarkibiga
R3
va
R4
rezistorlar kiradi. Bu
rezistorlar
R5
rezistor bilan birgalikda ishchi nuqtaning
holatini stabillash
sxemasini tashkil etadi.
81
5.12- rasm. p-n-p-o‘tishli bipolyar tranzistordagi uchta nuqtali sxema bo‘yicha
yig‘ilgan LC-generator uchun varikapdagi modulyatorning prinsipial sxemasi
VD1
varikap rezonans kontur tarkibiga kiradigan
L1
induktiv g‘altakka va
rostlanadigan
S5
kondensatorga parallel ulangan. Siljitish kuchlanishi varikapga
R1
va
R2
rezistorlar orqali beriladi. Katta sig‘imli
S1
kondensator
VD1
varikap va
VT1
tranzistor kollektorini o‘zgarmas tok bo‘yicha ajratilishini ta’minlaydi.
Modulyatsiyalovchi
PCh-signal
varikapga
R2
rezistor
orqali
beriladi.
Modulyatsiyalangan signal
VT1
tranzistorning emitteridan olinadi.
Uzatkichdagi keyingi kaskad
fazaviy modulyator hisoblanadi, unda fazaviy
modulyatsiyalash kuchaytirish kaskadining konturlarida modulyatsiyalovchi signal
yordamida uning nosozlanishini boshqarish yo‘li bilan amalga oshiriladi.
Boshqariladigan reaktiv element sifatida bu yerda varikap ishlatiladi.
Modulyatsiyalash indeksini oshirish uchun varikaplar kuchaytirgichning barcha
konturlariga ulangan. Kuchaytirgich konturi rezonans chastotasining o‘zgarishi
konturdagi
yuqori
chastotali
tebranishlarning
fazasini
uning
fazaviy
xarakteristikasiga muvofiq o‘zgartiradi. Fazaviy modulyatorning sxemasi 5.13-
rasmda keltirilgan.
