Texnologiyalari va kommunikatsiyalarni rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent

- tranzistor tо‘yinish rejimida bо‘lsa, u holda kollektor – emitter 
oralig‘idagi kuchlanish 
U*
KE.TО‘Y
=0,3 ÷ 0,4 V.
10.2.-rasm. Sxemaning statik rejimini tahlil qilish («
0
» uchun) 
10.3.-rasm. Sxemaning statik rejimini tahlil qilish («
1
» uchun) 

10.4.rasm. Murakkab invertorli TTM ME sxemasi 
Murakkab invertorli TTM sxemasi amaliyotda keng qо‘llaniladi. U ikki taktli 
chiqish kaskadi (
VT2
va 
VT3
tranzistorlar, 
R4
rezistor va 
VD
diod), boshqariluvchi 
faza ajratuvchi kaskad (
VT1
tranzistor, 
R2
va
R3
rezistorlar) dan tashkil topgan. 
10.5.-rasm. Sxemaning statik rejimini tahlil qilish («
0
» uchun) 

10.6.-rasm. Sxemaning statik rejimini tahlil qilish («
1
» uchun) 
TTM elementlari potensial elementlar qatoriga kiradi: ular asosida kompyuter 
sxemalarini tuzishda ular о‘zaro galvanik bog‘lanadilar, ya’ni kondensator va 
transformatorlarsiz.
Mantiqiy 
1
va mantiqiy 
0
asimptotik qiymatlari 
U
1
≥ 2,4 B;
U
0
 ≤ 0,4 B, U

Download 0,86 Mb.