p-n
o‘tish tushunchasi qo‘llaniladi. Eslatib o‘tamiz, agar
o‘tishning to‘g‘ri toki
I
= 10-3 ÷10-4 A oralig‘ida yotsa, bu diapazon
normal tok
rejimi
deb ataladi. Toklarning bu oralig‘ida kremniyli o‘tishda kuchlanish
U
atigi
0,70÷0,68 Vga o‘zgaradi. Tokning boshqa
I
=10-5÷10-6 A diapazonida (bu diapazon
mikrorejim
deb ataladi) kuchlanishning qiymatlari mos ravishda 0,57÷0,52 V
oraliqda yotadi.
MElarda tranzistorlar kalit rejimida ishlashini inobatga olgan holda, tahlilda
ochiq YOKI berk
p-n
o‘tish tushunchasi qo‘llaniladi. Eslatib o‘tamiz, agar
o‘tishning to‘g‘ri toki
I
= 10-3 ÷10-4 A oralig‘ida yotsa, bu diapazon
normal
tok rejimi
deb ataladi. Toklarning bu oralig‘ida kremniyli o‘tishda kuchlanish
U
atigi 0,70÷0,68 Vga o‘zgaradi. Tokning boshqa
I
=10-5÷10-6 A diapazonida
(bu diapazon
mikrorejim
deb ataladi) kuchlanishning qiymatlari mos ravishda
0,57÷0,52 V oraliqda yotadi.
Tok diapazonlariga ko‘ra to‘g‘ri kulchanishlar biroz farqlanishi mumkin,
lekin ularni doimiy deb hisoblash va
to‘g‘ri o‘tish parametrlari
deb qarash
mumkin. Uning uchun maxsus
U*
belgilash kiritiladi. Xona temperaturasida
normal rejimda
U*
=0,7 V, mikrorejimda esa,
U*
=0,5 V. Agar to‘g‘ri
kuchlanish
U*
kuchlanishdan atigi 0,1 V ga kichik bo‘lsa,
o‘tish deyarli berk
hisoblanadi, chunki bu kuchlanishda toklar nominaldan o‘nlab marta kichik
bo‘ladi
Yuqori tezkorlikka erishish uchun TTM tranzistorlari normal tok rejimida
ishlaydilar. Shuning uchun sxemaning statik rejimini tahlil qilishda quyidagi
soddalashtirishlar qabul qilingan, agar:
-
p-n
o‘tish orqali to‘g‘ri tok oqib o‘tayotgan bo‘lsa, u holda, o‘tish ochiq va
undagi kuchlanish
U*
=0,7 V;
-
p-n
o‘tish kuchlanishi teskari, YOKI
U*
dan kichik bo‘lsa, u holda, o‘tish
berk va oqib o‘tayotgan tok nolga teng;
- tranzistor to‘yinish rejimida bo‘lsa, u holda, kollektor – emitter oralig‘idagi
kuchlanish
U*KE.TO‘Y
=0,3 ÷ 0,4 V;
TTM elementning ish mexanizmini ko‘rib chiqamiz.
Ulanish sxemasiga binoan KET bazasining potensiali (B) doim uning
kollektori potensialidan yuqori bo‘ladi. Demak, KET KO‘ doim to‘g‘ri
siljigan bo‘ladi. Tranzistor EO‘lariga kelsak, ular emitter potensiallarining
umumiy shinaga nisbatan ulanishiga bog‘liq.
Deylik, barcha kirishlar (
X1
va
X2
) potensiallari kuchlanish manbai
potensialiga teng bo‘lgan maksimal qiymatga ega bo‘lsin. Bunda mantiqiy 1
sath shakllanadi, ya’ni
U1
=
YeM
ekanligi ravshan. U holda, barcha EO‘lar
teskari yo‘nalishda ulangan bo‘ladi, chunki baza potensiali (B)
R1
dagi
kuchlanish pasayishi hisobiga doim emitter potensialidan past bo‘ladi. KET
tarkibidagi parallel ishlayotgan tranzistorlar invers ulangan bo‘ladi.
Murakkab invertorli TTM ME sxemasi.
TTM seriyadagi YOKI bo‘yicha kengaytirish sxemasi.
Sxemaning ish tartibini ko‘rib chiqamiz.
Oddiy invertorli TTM kabi, bu sxemada VA biror kirishga mantiqiy 0 berilsa
VT1 tranzistor berk bo‘ladi. Natijada, VT2 tranzistor ochiladi, VT3 tranzistor esa
berkiladi. Yuklama sig‘imi
SYu
esa endi kichik qarshilikka (150 Om) ega rezistor
R4
, ochiq turgan VT2 tranzistor va VD diod orqali zaryadlanadi. Rezistor
R4
tok
cheklagichi bo‘lib, u chiqish tasodifan umumiy nuqtaga ulanganda o‘zaro ketma-ket
ulangan VT2 tranzistor va VD diod orqali oqib o‘tuvchi tok qiymati ortib ketishidan
himoyalaydi. Boshqa tomondan, chiqish kaskadining qayta ulanish vaqtida, ya’ni
VT2 tranzistor endi ochilayotgan, VT3 tranzistor esa hali berkilib ulgurmagan vaqt
momentida kuchli qisqa impulslar paydo bo‘lishi oldini oladi. Element qayta ulanish
vaqtida yuklama sig‘imi
SYu
to‘yingan VT3 tranzistorning kichik qarshiligi orqali
razryadlanadi. Bu bilan elementning yuqori tezkorligi ta’minlanadi.
TEST
Oddiy invertorli TTM:
a. Oddiy invertorli tizimlar (TTM), asosan moslashuvlarni o'zgartirish uchun
o'zgaruvchan ko'rsatkichlarni o'z ichiga oladi.
b. Bu tizimlar, o'zlarini o'zgaruvchan elektr energiyasini olish, uni o'zgartirish
va istalgan o'lchamdagi ko'rsatkichlarni ta'minlash imkoniyatiga ega.
c. Asosan, silikon germaniy (SiGe) tranzistorlardan foydalaniladi.
Murakkab invertorli TTM:
a. Murakkab invertorli tizimlar, murakkab elektronik qurilmalardan
foydalanib, ko'rsatkichlarni o'zgartirish uchun murakkab alg'oritmlarni qo'llaydi.
b. Bu tizimlar, murakkab dasturlash tili va shaffof xotira muhitini talab qiladi.
c. Ko'rsatkichlarni o'zgartirishda oddiy invertorli TTM lariga nisbatan yuqori
amalga oshirish tezligi va taqiqqa ega.
Shottki baryerli TTM:
a. Shottki baryerli tizimlar, Shottki baryerli diodlardan foydalanadi, ularning
yaqinlashma va yopilishning tezligi va efektivligi tufayli.
b. Ular, klassik diodlarga nisbatan tez yaqinlashadi va yaqinlashib
chiqishlarida kam qaytaruvchili.
c. Bu tizimlar, yuqori frekansli dastlabki haroratda ishlashadi.
Integral-injeksion mantiq:
a. Integral-injeksion mantiq (I2L), kompaktni energiya iste'moli uchun ishlab
chiqarilgan bo'lib, asosan qisqa ochiladigan yo'ldan iborat.
b. Bu mantiq, moslashishning o'ziga xos qobiliyatlarini takomillashtirish
uchun mahsulot ishlab chiqarishda va texnologiyalarni samarali yaratishda
qo'llaniladi.
c. I2L, murakkab chipta dizaynlari va iste'molni kamaytirish imkonini beradi.
|
