Integral injeksion mantiq
IIM negiz elementning prinsipial sxemasi va topologiya qirqimi
11.1.-rasm. IIM negiz elementning prinsipial sxemasi va topologiya qirqimi
Element VT1
(p1-n-p2)
va VT2
(n-p2-n+)
komplementar BTlardan tashkil
topgan.
VT1 tranzistor kirish signalini inverslovchi VT2 tranzistor uchun baza toki
generatori (injektori) vazifasini bajaradi.
VT2 tranzistor odatda bir nechta kollektorga ega bо‘lib, element mantiqiy
chiqishlarini tashkil etadi. IIM turdagi elementlarda hosil qilingan mantiqiy
sxemalarda, VT1 tranzistor emitteri hisoblangan injektor (I), kuchlanish manbai
bilan
R
rezistor orqali ulanadi va uning qarshiligi talab etilgan tokni ta’minlaydi.
Bunday tok bilan ta’minlovchi qurilma injektor toki qiymatini, keng diapazonda
о‘zgartirib uning tezkorligini о‘zgartirishga imkon beradi. Amalda injektor toki
1 nA ÷ 1 mA
gacha о‘zarishi mumkin, ya’ni VT1 tranzistor EО‘idagi kuchlanishni
ozgina orttirib (har 60 mVda tok 10 marta ortadi) tok qiymatini 6 tartibga
о‘zgartirish mumkin.
IIM IS kremniyli
n+
-
asosda tayyorlanadi, u о‘z navbatida barcha invertor
emitterlarini bilashtiruvchi umumiy elektrod hisoblanad.
