n-p-n turli tranzistor bazasi bir vaqtning о‘zida  p-n-p

11.2.-rasm. IIM negiz elementning shartli belgilanishi 
Ikkita ketma-ket ulangan IIM elementlar zanjiri 
11.3.-rasm. Ikkita ketma-ket ulangan IIM elementlar zanjiri sxemasi 
kо‘rinishi 
Sxemadan foydalanib 2HAM-EMAS va 2YOKI-EMAS mantiqiy amallarini 
bajaruvchi MElarni tuzish mumkin.
IIM sxemalar tezkorligi injeksiya toki 
I
I
ga kuchli bog‘liq bо‘lib, tok ortgan 
sari ortadi.
Bu vaqtda 
A
QU 
 
ozgina ortadi va
 
4÷0,2 pDjni tashkil etadi. 

Element qayta ulanishining о‘rtacha kechikish vaqti 10÷100 ns, ya’ni TTM 
elementnikiga nisbatan bir necha marta katta. Ammo quvvat iste’moli 1-2 tartibga 
kichik bо‘ladi.
Mantiqiy о‘tish kichikligi tufayli IIM elementining xalaqitbardoshligi ham 
kichik (20÷50 mV) bо‘ladi.
Shuning uchun bu sxemalar faqat KIS va О‘KISlar tarkibida va kichik 
integratsiya darajasiga ega mustaqil ISlar sifatida qо‘llaniladi. 
I2M MEning 
X
kirishiga statik rejimda mantiqiy 1ga mos kuchlanish 
berilganda manba 
YEM
dan energiya iste’mol qilishi, uning kamchiligi hisoblanadi.
Tranzistor-tranzistorli mantiq (TTM) haqida tushuncha 
Oddiy invertorli TTM. Murakkab invertorli va Shottki barerli TTM. 
TTM tushunchasi 

Murakkab raqamli elementlar tayanch elementlar asosida tuziladi. TTL 
seriyadagi IMS ning tayanch elementi 10.1-rasmda keltirilgan. U uchta 
kaskaddan tashkil topgan: kirish kaskadi, VTl tranzistorda; YOKI 
funksiyasini amalga oshirish imkonini beruvchi faza bo‘luvchi kaskad, VT2 
tranzistorda; chiqish kaskadi, VT3 va VT4 tranzistorlarda.
TTL seriyadagi elementning tayanch sxcmasi (a) va undagi ko‘p emitterli 
tranzistoming ekvivalent sxemasi (b).
Tranzistor ishlash prinsipi 

VTl tranzistor sifatida ko‘p emitterli tranzistordan foydalaailadi (bunday 
tranzistor EWB dasturining bibliotekasida mavjud emas). Agar diodlar (A va 
V kirishlar) yuqori kuchlanishli (4...5 V) shinaga ulansa tok R1 rezistor orqali 
VT2 tranzistoming bazasidan o‘ta boshlaydi va u ochiladi. Diodlardan 
birortasi YOKI ikkalasi VA massaga (umumiy shinaga) ulansa VTl tranzistor 
ochiladi va o‘z navbatida bazasidan o’tayotgan tok kamayib VT2 tranzistor 
yopiladi.
TTM seriyadagi elementning kirishga yuqori kuchlanish berilganda ishlashi 
tayanch sxemasi.
Agar mantiqiy kirishlardan kamida bittasiga YOKI VAmasiga past 
kuchlanish (mantiqiy nol signali) berilsa, VT1 tranzistor ochiladi, VT2 tranzistor esa 
yopiladi

Agar mantiqiy kirishlardan kamida bittasiga YOKI VAmasiga past kuchlanish 
(mantiqiy nol signali) berilsa, VT1 tranzistor ochiladi, VT2 tranzistor esa 
yopiladi

Mantiqiy kirishlardan kamida bittasiga YOKI VAmasiga past kuchlanish 
berilganda VT1 tranzistor ochiladi, VT2 tranzistor yopiladi, VT3 tranzistor 
ochiladi, VT4 tranzistor yopiladi va chiqishda S nuqtada yuqori kuchlanish 
(mantiqiy bir) hosil bo‘ladi
TTM seriyadagi elementning kirishiga past kuchlanish berilganda ishlashi.
TTM larning har-xil seriyalarida har-xil sxemalardan foydalaniladi. Lekin 
ularning barchasida R4 rezistor VT3 tranzistomi S chiqish "yerga" ulanib qolganda 
himoya qilish uchun xizmat qiladi. 54/74 (155) - seriyalar tayanch elementining 

sxemasi 10.3-rasmda keltirilgan. U yuqorida ko‘rib o‘tilgan sxemadan diodning 
baza zanjiriga emas balki emitter zanjiriga ulanganligi bilan farq qiladi. 
TTM larning har-xil seriyalarida har-xil sxemalardan foydalaniladi. Lekin 
ularning barchasida R4 rezistor VT3 tranzistomi S chiqish "yerga" ulanib qolganda 
himoya qilish uchun xizmat qiladi. 54/74 (155) - seriyalar tayanch elementining 
sxemasi 10.3-rasmda keltirilgan. U yuqorida ko‘rib o‘tilgan sxemadan diodning 
baza zanjiriga emas balki emitter zanjiriga ulanganligi bilan farq qiladi. 
54/74 seriyalar tayanch elimentining sxemasi. 
Sodda invertorli TTM ME sxemasi. 
MElarda tranzistorlar kalit rejimida ishlashini inobatga olgan holda, tahlilda 
ochiq YOKI berk 

Download 0,86 Mb.