|
§14.3. Kuchaytirgich kaskadining asosiy parametrlarini hisoblash
|
| bet | 100/125 | | Sana | 16.11.2023 | | Hajmi | 4,71 Mb. | | #99646 |
Bog'liq ENG SO\'NGGI Birinchi qism tipografiya uchun (1)
Ishchi (dinamik) rejimda, ya’ni transistor-ning chiqish zanjiriga yuklash qarshiligi ulangan bo’lsa, kirishga esa o’zgaruvchan signal berilsa, tranzistorning tavsif va parametrlarini sxemaga bog’lamasdan turib ko’rib bo’lmaydi. Umumiy holatda yuklash qarshiligi reaktiv, aralash yoki faqat aktiv (faol) bo’lishi mumkin. Faqat faol yuklash holatini ko’rib chiqamiz. Ishchi (dinamik) rejimda ishlayotgan tranzistorning tavsif va parametrlarini ishchi yoki dinamik deyiladi. Tranzistorning ishchi yoki dinamik parametrlari tranzistorni dinamik rejimida tok va kuchlanishlarni kichik o’zgarishida bog’laydi. Bunday parametrlari bo’lib kirish va chiqish qarshiliklari hisoblanadi, ularning miqdorlari signal manbai va yuklanish bilan tranzistorning kelishtirish sharti aniqlaydi va tokni, kuchlanishni va quvvatni kuchaytirish koeffitsiyentlaridir. Bu parametrlarning har biri quyidagicha aniqlanadi:
Kirish qarshiligi – bu Ryu=0 bo’lganida o’zgaruvchan kirish toki uchun tranzistorning kirish zanjirini qarshiligi:
(14.3)
Chiqish qarshiligi – bu Ryu=0 bo’lganida o’zgaruvchan chiqish toki uchun tranzistorning chiqish zanjirini qarshiligi:
(14.4)
Tok bo’yicha kuchaytirish dinamik koeffitsiyenti
. (14.5)
Quvvat bo’yicha kuchaytirish dinamik koeffitsiyenti
. (14.6)
Kichik sinusoidal signallar kuchaytirilganda ishchi parametrlarini tok va kuchlanish amplitudalari nisbati sifatida aniqlash mumkin.
Ishchi sxemaga ulangan tranzistor uchun oqadigan toklar va berilgan kuchlanishlar o’rtasidagi grafikli bog’lama dinamikaviy tavsilotlari bilan aniqlanadi. Huddi statik rejimiga o’xshab, tajriba o’tkazib olish, yoki kirish va chiqish dinamikaviy tavsilotlarini qurish mumkin.
Amalda ishni dinamik rejimini va tranzistorning ishchi parametrlarining to’liq hisobini bajarish uchun statik tavsiflarni ikki oilasiga ega bo’lish kerak: kirishlar va chiqishlar, ularga tegishli kirish va chiqish dinamik tavsiflari qurilishi lozim. Statik chiqish tavsiflari oilasida chiqish dinamik tavsiflarini qurish uchun Ichiq=F(Uchiq) | Iex = const yuklanish to’g’ri chizig’i quriladi. Kirxgof qonuni bo’yicha Uchiq=Emax-IchiqRyu, bu yerda Em – chiqish zanjiridagi ta’minlash manbaining kuchlanishi, bunda yuklanish to’g’ri chizig’i ikki nuqta bo’yicha bo’yicha qurilishi mumkin, agar Em va Ryu ma’lum bo’lsa:
1. Ichiq=0, Um= Em bo’lsa;
2. Um=0, unda Ichiq= Em /Ryu yuklanish to’g’ri chizig’ini statik tavsiflari bilan kesib o’tuvchi nuqtalar chiqish dinamik tavsiflar yo’lini aniqlpaydi. Kirish statik tavsiflarning Ukir=F(Ivk) | Uchiq = const oilasida kirish dinamik tavsiflarning qurilishi yo tenglamalar yordamida (Yem va Ryu ma’lum bo’lganida), yo qurilgan chiqish dinamik tavsiflaridan o’tkazish yo’li bilan bajarilishi mumkin. Oxirgi holatda dinamik chiqish tavsiflarini statiklari bilan kesib o’tish nuqtalari uchun Ikir miqdorlari aniqlanadi (shuning uchun bu chiqish statik tavsifi olingan) va Uchiq, olingan miqdorlari statik kirish tavsiflar oilasiga o’tkaziladi. Ravon egri chiziqdagi olingan nuqtalarni birlashtirib kirish dinamik tavsifi olinadi.
UBli ulangan tranzistorning chiqish va kirish dinamik tavsiflarini qurilishi 14.4-rasmda ko’rsatilgan.
|
| |
