|
Toshkent davlat transport universiteti
|
| bet | 108/125 | | Sana | 16.11.2023 | | Hajmi | 4,71 Mb. | | #99646 |
Bog'liq ENG SO\'NGGI Birinchi qism tipografiya uchun (1)Diodlar. Diodlar bitta r-n o’tishga ega. Lekin bipolyar tranzistorli IMSlarda asosiy tuzilma sifatida tranzistor tanlangan, shuning uchun diodlar tranzistorning diod ulanishi yordamida hosil qilinadi. Bunday ulanishlarning beshta varianti mavjud. Agar diod yasash uchun emitter – baza o’tishdagi r-n o’tish qo’llanilsa, u holda kollektor – baza o’tishdagi r-n o’tish uziq bo’lishi kerak.
Rezistorlar. Bipolyar tranzistorli IMSlarda rezistor hosil qilish uchun bipolyar tranzistor tuzilmasining biror sohasi: emitter, kollektor yoki baza qo’llaniladi. Emitter sohalari asosida kichik qarshilikka ega bo’lgan rezistorlar hosil qilinadi. Baza qatlami asosida bajarilgan rezistorlarda ancha katta qarshiliklar olinadi.
Kondensatorlar. Bipolyar tranzistorli IMSlarda teskari yo’nalishda siljigan r–n o’tishlar asosida yasalgan kondensatorlar qo’llaniladi. Kondensatorlarning shakllanishi yagona texnologik siklda tranzistor va rezistorlar tayyorlash bilan bir vaqtning o’zida amalga oshiriladi. Demak ularni yasash uchun qo’shimcha texnologik amallar talab qilinmaydi.
MDYa – tranzistorlar. IMSlarda asosan zatvori izolyatsiyalangan va kanali induksiyalangan MDYa–tranzistorlar qo’llaniladi. Tranzistor kanallari r- va n– turli bo’lishi mumkin. MDYa–tranzistorlar faqat tranzistorlar sifatida emas, balki kondensatorlar va rezistorlar sifatida ham qo’llaniladi, ya’ni barcha sxema funksiyalari birgina MDYa – tuzilmalarda amalga oshiriladi. Agar dielektrik sifatida SiO2 qo’llanilsa, u holda bu tranzistorlar MOYa–tranzistorlar deb ataladi. MDYa – tuzilmalarni yaratishda elementlarni bir – biridan izolyatsiya qilish operatsiyasi mavjud emas, chunki qo’shni tranzistorlarning istok va stok sohalari bir–biriga yo’nalgan tomonda ulangan r-n o’tishlar bilan izolyatsiyalangan. Shu sababli MDYa–tranzstorlar bir–biriga juda yaqin joylashishi mumkin, demak katta zichlikni ta’minlaydi.
Bipolyar va MDYa IMSlar planar yoki planar – epitaksial texnologiyada yasaladi.
Planar texnologiyada n-p–n tranzistor tuzilmasini yasashda r–turdagi yarim o’tkazgichli plastinaning alohida sohalariga teshiklari mavjud bo’lgan maxsus maskalar orqali mahalliy legirlash amalga oshiriladi. Maska rolini plastina sirtini egallovchi kremniy ikki oksidi SiO2 o’ynaydi. Bu pardada maxsus usullar (fotolitografiya) yordamida darcha deb ataluvchi teshiklar shakllanadi. Kiritmalar yoki diffuziya (yuqori temperaturada ularning konsentratsiya gradienti ta’sirida kiritma atomlarini yarim o’tkazgichli asosga kiritish), yoki ionli legirlash yordamida amalga oshiriladi. Ionli legirlashda maxsus manbalardan olingan kiritma ionlari tezlashadi va elektr maydonda fokuslanadilar, asosga tushadilar va yarim o’tkazgichning sirt qatlamiga singadilar.
Planar texnologiyada yasalgan yarim o’tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 15.2 a, b - rasmda keltirilgan.
Diametri 76 mmli yagona asosda bir varakayiga usulda bir vaqtning o’zida har biri 10 tadan 2000 ta element (tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar)dan tashkil topgan 5000 mikrosxema yaratish mumkin. Diametri 120 mm bo’lgan plastinada o’nlab milliontagacha element joylashtirish mumkin.
Zamonaviy IMSlar qotishmali planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. Bu texnologiya planar texnologiyadan shunisi bilan farq qiladiki, barcha elementlar r–turdagi asosda o’stirilgan n–turdagi kremniy qatlamida hosil qilinadi. Epitaksiya deb kristall tuzilmasi asosnikidan bo’lgan qatlam o’stirishga aytiladi.
a) b)
|
| |
