• 15.3 – rasm. Tranzistorni Planetar modeli
  • murakkablik darajasi komponent integratsiya darajasi
  • – rasm. Yarim o’tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi




    Download 4,71 Mb.
    bet109/125
    Sana16.11.2023
    Hajmi4,71 Mb.
    #99646
    1   ...   105   106   107   108   109   110   111   112   ...   125
    Bog'liq
    ENG SO\'NGGI Birinchi qism tipografiya uchun (1)

    15.2 – rasm. Yarim o’tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi

    Planetar – epitaksial texnologiyada yasalgan tranzistorlar ancha tejamli, hamda planarliga nisbatan yaxshilangan parametr va xarateristikalarga ega.


    Buning uchun asosga epitaksiyadan avval n+ - qatlam kiritiladi (15.3 - rasm). Bu holda tranzistor orqali tok kollektordagi yuqoriomli rezitordan emas, balki kichikomli n+ - qatlam orqali oqib o’tadi.

    15.3 – rasm. Tranzistorni Planetar modeli

    Mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan birlashtirish uchun metllizatsiyalash qo’llaniladi. Metallizatsiyalash jarayonida oltin, kumush, xrom yoki aluminiydan yupqa metall pardalar hosil qilinadi. Kremniyli IMSlarda metallizatsiyalash uchun aluminiydan keng foydalaniladi.


    Sxemotexnik belgilariga ko’ra mikrosxemalar ikki sinfga bo’linadi.
    IMS bajarayotgan asosiy vazifa – elektr signali (tok yoki kuchlanish) ni ko’rinishida berilayotgan axborotni qayta ishlash hisoblanadi. Elektr signallari uzluksiz (analog) yoki diskret (raqamli) shaklda ifodalanishi mumkin.
    Shu sababli, analog signallarni qayta ishlaydigan mikrosxemalar – analog integral mikrosxemalar (AIS), raqamli signallarni qayta ishlaydiganlari esa – raqamli integral sxemalar (RIS) deb ataladi.
    Raqamli sxemalar asosida sodda tranzistorli kalit (ventil) sxemalar yotadi. Kalitlar ikkita turg’un holatni egallashi mumkin: uzilgan va ulangan. Sodda kalitlar asosida ancha murakkab sxemalar yasaladi: mantiqiy, bibarqaror, triggerli (ishga tushuruvchi), shifratorli, komporatorlar va boshqa, asosan hisoblash texnikasida qo’llaniladigan. Ular raqamli shaklda ifodalangan axborotni qabul qilish, saqlash, qayta ishlash va uzatish fuksiyasini bajaradilar.
    Integral mikrosxemalarning murakkablik darajasi komponent integratsiya darajasi kattaligi bilan ifodalanadi. Bu kattalik raqamli IMSlar uchun kristallda joylashishi mumkin bo’lgan mantiqiy ventillar soni bilan belgilanadi.
    100 ta dan kam ventilga ega bo’lgan IMSlar kichik integratsiya darajasiga ega bo’lgan IMSlarga kiradi. O’rta darajali ISlar 102, katta ISlar 102105, o’ta katta ISlar 105107 va ultra katta ISlar107 darajadan ortiq ventillardan tashkil topadi. Bunday sinflanish tizimi analog mikrosxemalar uchun ham qabul qilingan.


    Download 4,71 Mb.
    1   ...   105   106   107   108   109   110   111   112   ...   125




    Download 4,71 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    – rasm. Yarim o’tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS namunasi

    Download 4,71 Mb.