|
-rasm. Operatsion kuchaytirgich algoritmi
|
| bet | 104/125 | | Sana | 16.11.2023 | | Hajmi | 4,71 Mb. | | #99646 |
Bog'liq ENG SO\'NGGI Birinchi qism tipografiya uchun (1)14.3-rasm. Operatsion kuchaytirgich algoritmi
XV BOB. INTEGRAL MIKROSXEMALAR
§15.1. Umumiy ma’lumotlar
Radioelektron qurilmalar juda ko’p sondagi elektron asboblardan tashkil topadi. Fan texnikaning rivojlanishi bilan ularning soni va turi yanada ortib bormoqda. Shuning uchun radioelektron qurilmaning mustahkamligi, uzoq muddat ishonchli xizmat qila olish qobiliyati va boshqa xususiyatlarini oshirgan holda ularning hajmini kichraytirish, og’irligi va sarf qiladigan quvvatini kamaytirish kabi masalalar o’rtaga qo’yilmoqda
Yarim o’tkazgichlar texnikasining rivojlanishi yarim o’tkazgichli imkoniyatni yaratadi. Bunday asboblar modul-sxemalar yoki mikromodullar deb ataladi. Ularda o’ta ixcham qobiqsiz yarim o’tkazgichli asboblar, plyonkali (paradasimon) qarshilik va kondensatorlar ma’lum sxema asosida bir qobiq ichiga yig’iladi va biror element qurilmaning to’liq sxemasini tashkil etadi. Shuning uchun ular mikrosxemalar deb ataladi.
Mikrosxemalarning 1 sm3 hajmda kamida 5 ta element (tranzistor diod rezistor, sig’im va induktivlik) qatnashib, ular biror element qurilmaning tugallangan sxemasini tashkil etish lozim. Hozir integral mikrosxema (IMS) deb ataladigan yarim o’tkazgichli asboblar keng qo’llaniladi. Ular qurilmaning umumiy hajmini 20000 martadan ortiq kichraytirish imkonini beradi. IMS shunday qurilmaki, uning barcha elementlari yoki ularning bir qismi ajralmas qilib bog’langan bo’ladi. Ular bir-biri bilan shunday tutashkanki, natijada bir butun qurilma bo’lib xizmat qiladi.
§ 15.2. Mikrosxema elementlari
Biz yarim o’tkazgichli IMSlarning elementlari bilan tanishamiz. Sababi pardasimon IMSlarda faqat passiv elementlar qarshilik, sig’im va induktivlik hosil qilinishi mumkinligi gapirilgan edi. Ular taglik sirtiga o’tkazuvchan va himoyalovchi moddalarni purkash yoki pardalar qatlami sifatida joylashtirish yo’li bilan hosil qilinadi. Bunda taglik dielektrik materialdan yasalgani uchun elementlarni bir-biridan himoyalashga hojat qolmaydi. Quyidagi birinchi 15.1-rasmda purkash yo’li bilan hosil qilingan to’g’ri to’rtburchak shaklida yasalgan induktivlik g’altagi ko’rsatilgan.
15.1-rasm. Induktiv g’altagi grafigi
Yarim o’tkazgichli IMSlarning elementlarini yasash murakkab texnologik jarayon bo’lib, ularning turlari xilma–xildir. Barcha jarayonlarning negizini tranzistorlar tarkibi tashkil qiladi, ya’ni barcha passiv va aktiv elementlar tranzistor asosida hosil qilinadi. Asos tranzistor vazifasini bipolyar yoki unipolyar tranzistorlar bajaradi.
Bipolyar tranzistorlarni yasashda uning ikki formulasi p-n-p va n-p-n dan foydalaniladi. Ulardan n-p-n turi eng ko’p tarqalgan.
|
| |
