|
Texnalogiyallar vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universite ti
|
| bet | 1/4 | | Sana | 06.12.2023 | | Hajmi | 211.35 Kb. | | #112827 |
Bog'liq ELEKTRONIKA NORMEGLIEV BOYMUROD XO‘JAMUROD NORBOYEV FAXRIDDIN O‘G‘LI, Tovushlar, harflar va so\'z turkumlarini o\'rgatishda axborot texn-fayllar.org, mozaika, квиллинг, 3-labaratoriya, ldyWBOlPneZNaJiOm7PIij30Gz1718rzb6Ek7LXV, ХФХ лаб. Xисобот 2023, 2-maruza , Сканер Lite 04-12-2023 14 18, Taqdimot dasturi (PowerPoint;Prezi;Focusky) va boshqa dasturlar-azkurs.org (1), Asadova 1, Asadova8, Asadova9, Dilmurodova Madina
O`ZBEKISTON RESPUBLIKASI RAQAMLI
TEXNALOGIYALLAR VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITE TI
Электроника ва схемалар 2
MUSTAQIL ISH
Bajardi:САЕ-010guruh Normengliyev Boymurod
Tekshirdi: Arziyev Davron
Toshkent-2023
Reja:
1. Raqamli integral mikrosxemalar.
2. Katta integral mikrosxemalar.
3. Elektron va yarim o`tkazgichli qurilmalarni loyihalashni umumiy holatlari.
4.Raqamli sxemalarning tasniflanishi.
Raqamli integral mikrosxemalar.
1-Raqamli integral mikrosxemalar. Integral mikrosxema (IMS) – bu o`zaro bog`langan bir necha tranzistorlar, diodlar, kondensatorlar. Rezistorlar yig`indisi hisoblanadi va u yagona texnologik siklda tayyorlanib (yani bir paytda), elektr signallarini o`zgartirishda ma`lum funksiyalarni bajaradi.
IMS tarkibiga kirgan komponentlar undan mustaqil ajratib olinishi va mustaqil buyum sifatida ishlatilishi mumkin emas. Ular integral elementlar deb ataladi. Ulardan farqli o`laroq ularga konstruktiv moslashtirilgan detal va qurilmalar diskret komponentlar deb ataladi. Ular asosida tuzilgan bloklar esa diskret sxemalar deb ataladi.
Yuqori puhtalik va sifat, ihchamlik, engillik, arzonlik integral mikrosxemalarini halq ho`jaligini barcha sohalarida keng qo`llanilishga sabab bo`lmoqda. Zamonaviy mikroelektrotexnika asosini yarimo`tkazgichli integral mikrosxemnalar tashkil etmoqda. Zamonaviy yarimo`tkazgichli IMS kristtallarini o`lchamlari 1,5x1,5 dan 6x6 mm gacha.
Kristall maydoni qancha katta bo`lsa unga shuncha ko`p elementli integral mikrosxemani joylashtirish mumkin bo`ladi.
Integral mikrosxemalarida tranzistorlarni ma`lum ulanishlar asosida rezistor va kondensator hosil qilish mumkin.
Yarimo`tkazgichli IMS larni hususiyati shundan iboratki ularni elementlari orasida induktivlik g`altagi yo`q, chunki shu paytgacha qattiq jismlarda elektromagnit induksiyasiga ekvivalent bo`lgan fizik hodisa olish imkoniyati bo`lmagan.
|
| |
