10 maʼruza Oddiy va murakkab invertorli ttm

Sxemaning statik rejimini tahlil qilishda quyidagi soddalashtirishlar qabul qilingan, agar:

• 
  Sxemaning statik rejimini tahlil qilishda quyidagi soddalashtirishlar qabul qilingan, agar:
  
• 
  - p-n oʼtish orqali toʼgʼri tok oqib oʼtayotgan boʼlsa, u holda oʼtish ochiq va undagi kuchlanish U*=0,7 V;
  
• 
  - p-n oʼtish kuchlanishi teskari, yoki U* dan kichik boʼlsa, u holda oʼtish berk va oqib oʼtayotgan tok nolga teng;
  
• 
  - tranzistor toʼyinish rejimida boʼlsa, u holda kollektor – emitter oraligʼidagi kuchlanish U*KE.TOʼY=0,3 ÷ 0,4 V.
  

Murakkab invertorli TTM ME sxemasi

• 
  Murakkab invertorli TTM sxemasi amaliyotda keng qoʼllaniladi. U ikki taktli chiqish kaskadi (VT2 va VT3 tranzistorlar, R4 rezistor va VD diod), boshqariluvchi faza ajratuvchi kaskad (VT1 tranzistor, R2 va R3 rezistorlar) dan tashkil topgan.
  

• 
  TTM elementlari potentsial elementlar qatoriga kiradi: ular asosida kompьyuter sxemalarini tuzishda ular oʼzaro galьvanik bogʼlanadilar, yaʼni kondensator va transformatorlarsiz.
  
• 
  Mantiqiy 1 va mantiqiy 0 asimptotik qiymatlari U1 ≥ 2,4 B; U0 ≤ 0,4 B, UQU =U1-U0 =2 V kuchlanishlar bilan ifodalanadi.
  
• 
  Yuqorida koʼrib oʼtilgan seriyalar funktsional va texnik toʼliqlikka ega, yaʼni turli arifmetik va mantiqiy amallarni, xotirada saqlash, yordamchi va maxsus funktsiyalarni bajaradi.
  
• 
  Аsosiy TTM turi boʼlib mantiqiy qoʼpaytirish inkori bilan yaʼni, HАM-EMАS amalini bajaradigan Sheffer elementi hisoblanadi.