n – MDYA tranzistorlarida bajarilgan invertor sxemasi

n – MDYA tranzistorlarida bajarilgan invertor sxemasi

• 
  Bu sxemalarda yuklama sifatida ishlatilayotgan VT0 tranzistorlar doim ochiq holatda boʼladi, chunki ularning zatvorlari kuchlanish manbaining musbat qutbiga tutashgan. Ular tok cheklagichlar (dinamik qarshiliklar) vazifasini bajaradi.
  
• 
  2HАM-EMАS sxemada pastki VT1 va VT2 tranzistorlar ketma – ket, 2YOKI-EMАS sxemada esa– parallel ulanadi.
  

n – MDYa tranzistorlarida bajarilgan 2HАM-EMАS va 2YOKI-EMАS MElari

• 
  Invertor statik rejimi va oʼtish jarayonlari tahlil shuni koʼrsatdiki, tezkorlik va isteʼmol quvvati nuqtai nazaridan EM = (2÷3)U0 kuchlanish qiymati optimal hisoblanadi.
  
• 
  Demak, U0 = 1,5 ÷ 3 V boʼlganda EM = 4,5 ÷ 9 V boʼladi.
  
• 
  MDYATM elementlarda real U0ChIQ qiymati U0 = UQOL ≈ 0,2 ÷ 0,3 V dan katta emas, U1ChIQ qiymati esa U1ChIQ ≈ EM.
  
• 
  Mos ravishda mantiqiy oʼtish
  
• 
  MDYATM elementning yana bir afzalligi – xalaqitbardoshikning yuqoriligidadir. BTlardagi MElarda mantiqiy 0 ning xalaqitbardoshligi (1÷2)U*, yaʼni 0,7÷1,4 V boʼlganda, MDYATM da U0XАL ≈ 1,5 ÷ 3 V boʼladi.
  

• 
  Kremniy oksidili MDYa ISlarning asosiy kamchiligi –tezkorlikning kichikligidir.
  
• 
  Yana bir kamchiligi – katta isteʼmol kuchlanishi boʼlib, u MDYa ISlarni BT ISlar bilan muvofiqlashtirishni murakkablashtiradi.
  
• 
  MDYa ISlar asosan uncha katta boʼlmagan tezkorlikka ega boʼlgan va kichik tok istemol qiladigan mantiqiy sxemalar va KISlar yaratishda qoʼllaniladi.
  
• 
  MDYa ISlarda eng yuqori integratsiya darajasiga erishilgan boʼlib, bir kristalda yuz minglab va undan koʼp komponentlar joylashishi mumkin.
  

• 
  Eʼtiboringiz uchun raxmat
  

• 
  14 – maʼruza
  
• 
  Komplementar tranzistorlarda yasalgan mantiqiy elementlar