IIM negiz elementning shartli belgilanishi

IIM negiz elementning shartli belgilanishi

Ikkita ketma-ket ulangan IIM elementlar zanjiri

Sxemadan foydalanib 2HАM-EMАS va 2YoKI-EMАS mantiqiy amallarini bajaruvchi MElarni tuzish mumkin.

• 
  Sxemadan foydalanib 2HАM-EMАS va 2YoKI-EMАS mantiqiy amallarini bajaruvchi MElarni tuzish mumkin.
  
• 
  IIM sxemalar tezkorligi injektsiya toki II ga kuchli bogʼliq boʼlib, tok ortgan sari ortadi.
  
• 
  Bu vaqtda АQU ozgina ortadi va 4÷0,2 pDjni tashkil etadi.
  
• 
  Element qayta ulanishining oʼrtacha kechikish vaqti 10÷100 ns, yaʼni TTM elementnikiga nisbatan bir necha marta katta. Аmmo quvvat isteʼmoli 1-2 tartibga kichik boʼladi.
  
• 
  Mantiqiy oʼtish kichikligi tufayli IIM elementining xalaqitbardoshligi ham kichik (20÷50 mV) boʼladi.
  
• 
  Shuning uchun bu sxemalar faqat KIS va OʼKISlar tarkibida va kichik integratsiya darajasiga ega mustaqil ISlar sifatida qoʼllaniladi.
  
• 
  I2M MEning X kirishiga statik rejimda mantiqiy 1ga mos kuchlanish berilganda manba YeM dan energiya isteʼmol qilishi, uning kamchiligi hisoblanad
  

• 
  Eʼtiboringiz uchun raxmat
  

• 
  12 - maʼruza
  
• 
  Emitterlari bogʼlangan mantiq
  

Reja

• 
  Tok qayta ulagichi
  
• 
  EBM ME sxemasi
  
• 
  500 seriyaga mansub EBM element sxemasi
  

Emitterlari bogʼlangan mantiq (EBM) elementni yaratilishiga raqamli qurilmalar tezkorligini oshirish muammosi sabab boʼlgan. EBM elementda qayta ulanuvchi tranzistor yoki berk, yoki ochiq boʼladi va bazada qoʼshimcha noasosiy zaryad tashuvchilar toʼplanayotganda BT toʼyinish rejimida ishlaydi. Tranzistorni bir holatdan ikkinchisiga oʼtishi uzoq kechadigan jarayon boʼlganligi sababli, TTM element tezkorligi cheklangan. BTdagi kalit inertsiyaliligini kamaytirish maqsadida shunday sxemalar yaratish kerakki, unda qayta ulanuvchi tranzistor ochiq holatda aktiv rejimda ishlasin.

• 
  Emitterlari bogʼlangan mantiq (EBM) elementni yaratilishiga raqamli qurilmalar tezkorligini oshirish muammosi sabab boʼlgan. EBM elementda qayta ulanuvchi tranzistor yoki berk, yoki ochiq boʼladi va bazada qoʼshimcha noasosiy zaryad tashuvchilar toʼplanayotganda BT toʼyinish rejimida ishlaydi. Tranzistorni bir holatdan ikkinchisiga oʼtishi uzoq kechadigan jarayon boʼlganligi sababli, TTM element tezkorligi cheklangan. BTdagi kalit inertsiyaliligini kamaytirish maqsadida shunday sxemalar yaratish kerakki, unda qayta ulanuvchi tranzistor ochiq holatda aktiv rejimda ishlasin.
  
• 
  EBM shunday sxemotexnik yechimlardan biri hisoblanadi. BTning toʼyinmagan rejimi yuklama va parazit sigʼimlarni tez qayta zaryadlanishi uchun talab qilinadigan ishchi toklarni oshirish imkonini beradi. Qayta ulanuvchi element ulanish vaqti minimumga keladi. Bu vaqtda BTning berkilish vaqti ortmaydi. Shu sababli EBM elementlar yuqori tezkorlikka ega.