seriyaga mansub EBM elementning printsipial elektr sxemasi

500 seriyaga mansub EBM elementning printsipial elektr sxemasi

EBM elementlar oʼta yuqori tezlikda ishlovchi tizimlar uchun negiz hisoblanadi. Elementlarni montaj usulda birlashtirish yoʼli bilan turli funktsiyalarni amalga oshirish imkoniyati tugʼiladi.

• 
  EBM elementlar oʼta yuqori tezlikda ishlovchi tizimlar uchun negiz hisoblanadi. Elementlarni montaj usulda birlashtirish yoʼli bilan turli funktsiyalarni amalga oshirish imkoniyati tugʼiladi.
  
• 
  EBM sxemotexnikasi TTMga nisbatan funktsional jihatdan moslanuvchan va turli murakkablikdagi mantiq algebrasini yaratish imkonini beradi. Bu xossa matritsali kristallar asosida buyurtmaga asosan KISlar yaratishda keng qoʼllaniladi.
  
• 
  Bundan tashqari, koʼpgina maxsus maqsadlar uchun ishlab chiqilgan EBM sxemalari mavjud.
  

Ikki kirishli EBM elementning shartli garfik belgilanishi

• 
  Element musbat mantiq uchun bir vaqtning oʼzida ikkita funktsiyani amalga oshiradi: U1 chiqish boʼyicha 2YOKI-EMАS (Pirs elementi) va U2 chiqish boʼyicha 2YOKI (dizʼyunktsiya).
  

• 
  Eʼtiboringiz uchun raxmat
  

• 
  13 - maʼruza
  
• 
  MDYa tranzistorida yasalgan mantiqiy elementlar
  

Reja

• 
  n – MDYA tranzistorlarida bajarilgan invertor sxemasi
  
• 
  n – MDYA tranzistorlarida bajarilgan 2HАM-EMАS va
  
• 
  2YOKI-EMАS MElari
  

• 
  TTM va EBM elementlari yuqori tezkorlikni taʼminlaydilar, ammo isteʼmol quvvati va oʼlchamlari katta boʼlganligi sababli, faqat kichik va oʼrta integratsiya darajasiga ega boʼlgan IMSlar yaratishdagina qoʼllaniladi.
  
• 
  1962 yilda planar texnologik jarayon asosida kremniy oksidili (SiO2) MDYa – tranzistor yaratildi, keyinchalik esa uning asosida guruh usulida ishlab chiqarish yoʼlga qoʼyildi.
  
• 
  Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi MDYa integral tranzistorlarda izolyatsiyalovchi choʼntaklar hosil qilish talab etilmaydi. Shuning uchun, bir xil murakkablikka ega boʼlganda, MDYa – tranzistorli IMSlar BTlarga nisbatan kristalda kichik oʼlchamlarga ega va yasalish texnologiyasi sodda boʼladi.
  

• 
  MDYa – tranzistorli mantiq (MDYaTM) asosida yuklamasi MDYa – tranzistorlar asosida yaratilgan elektron kalit - invertorlar yotadi.
  
• 
  Sxemada passiv elementlarning ishlatilmasligi, IMSlar tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi.
  
• 
  Mantiqiy IMSlar tuzishda n – yoki p – kanali induktsiyalangan MDYa – tranzistorlardan foydalanish mumkin.
  
• 
  Koʼproq n – kanalli tranzistorlar qoʼllaniladi, chunki elektronlarning harakatchanligi kovaklarnikiga nisbatan yuqori boʼlganligi sababli mantiqiy IMSlarning yuqori tezkorligi taʼminlanadi.
  
• 
  Bundan tashqari, n – MDYaTM sxemalar kuchlanish nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari boʼyicha TTM sxemalar bilan toʼliq muvofiqlikka ega.