17- mavzu Yarimo‘tkazgich diodlar Reja Trigger ta’rifi Bistabil yacheykalar

Varikaplar

• Varikap elektr yordamida boshqariladigan sigʼim sifatida qoʼllanishga moʼljallangan. Varikapning ishlash printsipi elektr oʼtish toʼsiq sigʼimining teskari kuchlanishga bogʼliqligiga asoslangan.
• Varikaplar asosan tebranma konturlarni chastotasini elektron qayta sozlashda qoʼllaniladi. Varikaplarning bir necha turi mavjud. Masalan, parametrik diodlar oʼta yuqori chastota signallarini kuchaytirish va generatsiyalashda, koʼpaytiruvchi diodlar esa keng chastota diapazoniga ega boʼlgan koʼpaytirgichlarda qoʼllaniladi.

Tunnel diodlari

• Tunnel diodi deb qoʼzgʼotilgan yarim oʼtkazgich asosida loyihalangan yarim oʼtkazgichli asbobga aytiladi. Unda teskari va uncha katta boʼlmagan toʼgʼri kuchlanishda tunnelь effekti yuzaga keladi va VАX damanfiy differentsial qarshilikka ega boʼlgan soha mavjud boʼladi.
• Tunnelь diodlar boshqa turdagi diodlardan sezilarli farq qilmaydi, lekin ularni yasash uchun yuqori kontsentratsiyali kiritmaga ega boʼlgan yarim oʼtkazgichli materiallar qoʼllaniladi.
• Аgar tunnelь diodi tebranma kontur elektr zanjiriga ulansa, u holda kontur va shu zanjirdagi manfiy qarshilik kattaligi oʼrtasidagi maʼlum nisbatlarda tebranishlar kuchayishi yoki generatsiyalanishi mumkin.
• Tunnelь diodlari asosan 3-30 GGts diapazonda OʼYuCh generatorlar qurishda, hamda maxsus hisob qurilmalari va mantiqiy yuta yuqori tezlikda ishlaydigan sxemalarda qoʼllaniladi.

• Generator diodlarining biri boʼlib koʼchkili – uchma diodlar (KUD) hisoblanadi. Uning VАXsida r-n oʼtishdagi koʼchkisimon teshilishda yuqori chastotalarda manfiy qarshilikka ega boʼlgan soha yuzaga keladi. Аgar KUD rezonatorga joylashtirilsa, unda chastotasi 100 GGtsgacha boʼlgan soʼnmaydigan tebranishlar yuzaga keladi. Tebranishlarning chiqish quvvati (f=1 GGts boʼlganda) 10 Vtgacha yetishi mumkin. KUDning FIK 30-50 %ga yetadi.
• Generator diodining yana bir turi boʼlib Gann diodi hisoblanadi. Gann diodlarini yasash uchun n- turdagi oʼtkazuvchanlikka ega boʼlgan intermetall birlashmalar- GaAs, InSb, InAs va InPlar qoʼllaniladi. Diod tebranma konturga joylashtiriladi. Kontaktlarga oʼzgarmas kuchlanish berilganda Gann diodida kuchlanganligi 3∙10000 V/sm boʼlgan elektr maydon hosil qiladigan chastotasi 60 GGts boʼlgan elektr tebranishlar yuzaga keladi. Tebranishlar quvvati 10 – 15 Vtgasa yetishi mumkin, FIK esa 10-12 % ga yetadi.

• E’tiboringiz uchun raxmat