kollektor sohasi bo‘lib xizmat qiladi. Mazkur sohada
ketma-ket lokal diffuziya
bilan
p-baza va emitter
n
+
-sohasi shakllanadi (1, f – rasm). Natijada
kombinatsiyalangan izolyatsiyaga ega bo‘lgan planar-epitaksial
transistor
yaratiladi: oksid va
p-n-o‘tish.
Tayyorlash va izolyasiya qilish usuliga bog‘liq bo‘lmagan holda planar-
epitaksial tranzistorlar uchun baza va emitter soha kirishmalarning notekis
taqsimlanishi spetsifik hisoblanadi. Uning harakteri
tranzistorning asosiy
parametirlari va xossasini aniqlaydi. Tranzistor strukturasi shakllantirilganidan
so‘ng har bir strukturaviy sohada diffuziyalanovchi kirishmalar taqsimoti 2–
rasmda ko‘rsatilgan ko‘rnishiga egadir. Baza sohasida kirishmalar taqsimoti Gauss
funksiyasiga bo‘ysinsa, emitter sohasida u
erfc funksiyasiga yaqindir.
Biroq
tranzistorning asosiy parametrlariga asosiy ta’sirni natijaviy kirishmalar
taqsimotining xarakterini ko‘rsatadi. Taqsimot quyidagicha aniqlanadi:
x
N
x
N
x
N
a
d
nat
,
(1)
bu yerda
d
e
k
N
x
N
x
N
donor kirishmalarning konsensratsiyasi.
a
b
N
x
N
x
akseptor kirishmaning konsentratsiyasi. Emitter
x
e
va
kollektor x
k
metallurgek
o‘tish nuqtasida kirishmalarning natijaviy konsentratsiyasi nolga teng bo‘ladi:
0
,
nat
K
E
x
x
x
a
d
x
N
x
N
x
N
.
(2)
Natijaviy kirishmalarning bunday noteks taqsimoti transistor strukturasida
ichki statik elektr maydonini hosil bo‘lishiga olib keladi. Uning kuchlanganligi har
bir strukturaviy sohasi uchun tok zichliklari tenglamasini yechish bilan aniqlanadi.
Donor kirishma atomlarining ionlari asosiy zaryad tashuvchilar bo‘lgan emittor
sohada uchki static maydon hosil bo‘ladi. Ularning kuchlanganligi
dx
x
dN
x
N
q
kT
x
E
e
nat
nat
1
,
(3)
bu yerda
0
e
x
x
.
Maskur maydoning kuchlanganlik vektori emitter o‘tishga yo‘nalgan bo‘ladi
va maydon emitter o‘tish tomonidan, bazadan emmiterga injeksiyalangan noasosiy
zaryad tashuvchilar (kovak) uchun sekinlashtiruvchi bo‘ladi.
Asosiy zaryad
tashuvchilar kovak bo‘lgan baza sohasida ichki statik maydon kuchlanganligi
