n
p
p
n
n
e
n
I
I
I
I
I
I
I
/
1
1
,
(5)
bu yerda
I
n
– bazaga elektronlarning
injeksiya toki;
I
p
– bazadan emitterga
kovaklarning injeksiya toki;
I
e
emitterning to‘liq toki.
I
n
va
I
p
toklar va mos
ravishda
koeffitsiyent
E
e
(
x) va
E
b
(
x) qiymatlarni hisobga olgan holda
tranzistorning baza va emittуr struktura sohalari
uchun uzluksiz tenglamasini
yechish bilan aniqlanadi. Planar-epitaksial tranzistorlar kichik (0,3 dan katta emas)
invers kuchaytrish koeffitsiyentiga
B
I
egadir.
Bu
holatda
kollektor
o‘tish yaqinida kollektordagi kirishmalar
konsenratsiyasi
o‘tishining
boshqa
tomondagi
bazadagi
kirishmalar
konsenratsiyasidan kam bo‘lishi bilan tushuntiriladi. Mos holda kollektor
o‘tishning injeksiya koeffitsiyenti past bo‘ladi. Bu esa
B
I
ning kichik qiymatga ega
bo‘lishiga olib keladi. To‘yinish rejimda tranzistorning eng muhim statik tavsifi –
kirish (baza) va chiqish tavsirdir. Tranzistor to‘yinish kuchlanish
U
kt
,
B
I
oshishi va
r
k
kamayishi bilan kamayadi. Planar tranzistorlar o‘ziga
xos tomoni tranzistor
sirtida bitta tekislikda asosiy sohalariga kontaktni joylashishdir. Bu esa kollektor
sohani
r
k
qarshligini sezrali darjada taqsimlanishiga olib keladi.
r
k
ni
kamaytirishning samarali usuli kollektorda berkitilgan
n
+
qatlamni
yaratish va
emitterni shaklantrish jarayonida kollektor kontakti ostida donorni kiritishdir. U
kt
kuchlanishini ma’lum bir kamaytirilishi kollektorning ikkita chiqishi ishlatilganda
erishilishi mumkin. Ulardan biri yuklamaga ulansa, boshqasi chiqishdir.
Shunday qilib, to‘yinish rejimda tranzistor qoldiq kuchlanish kattaligi
U
kt
uchta parametrga bog’liq bo‘ladi:
B,
B
I
va
r
k
. Ular esa o‘z navbatida struktura
parametrlari va tranzistorlarning ishlash rejimi bilan
aniqlanadi Tranzistorning
chastotaviy xossasi asosan baza orqali noasosiy zaryad tashuvchilarning o‘tish
vaqti
o‘t
va emitter
C
e
va kollektor
C
k
o‘tishlarning sig‘imlari bilan aniqlanadi.
Baza orqali zaryad tashuvchilarning o‘tish vaqti kollektor o‘tishda,
injeksiyalangan elektronlarning zaryadi
Q jamlanish vaqti sifatida aniqlanadi:
dx
x
n
I
q
I
Q
b
W
t
o
0
t
t
‘
,
(6)
bu yerda
n(
x) bazaga injeksiyalangan elektronlarning
taqsimoti;
w
b
–baza kengligi.
Kollektor va emitter o‘tish sig’imi, o‘tish yuzasi va hajmiy zaryad sohasi
kengligi bilan aniqlanadi. U kirishmalar konsentratsiyasi gradienti va o‘tishga
qo‘yilgan kuchlanish bilan aniqlanadi.
3
/
1
nat
k
kk
2
0
K
K
12
K
x
x
dx
x
dN
U
q
S
C
,
(7)
3
/
1
nat
k
ke
2
0
E
E
12
E
x
x
dx
x
dN
U
q
S
C
.
(8)
