4 – rasm. Ko’p emmiterli tranzistor
а –topologiya vа strukturаsi; b – sxema ko’rinishidagi modeli;
c – qo’shni emmiterlar orasidagi o’zaro ta’sirlashuv
Birinchidan, har bir ko‘shni emitter juftliklari, ularni ajratuvchi bazaning p-
qatlami bilan gorizantal (ba’zida bo‘ylama)
n
+
-
p-
n
+
turdagi tranzistorni hosil qiladi.
Agarda emitterlardan birida to‘g‘ri
kuchlanish, boshqasida teskari kuchlanish
bo‘lsa, u holda birinchisi elektronlarni injeksiyalaydi. Ikkinchisi esa emitterning
yon yuzasi tomonidan injeksiyalangan va emitterlar
orasidagi masofani
rekombinasiyasiz bosib o‘tgan elektronlarni yig‘adi. Bunday tranzistor effekti KET
uchun parazit hisoblanadi: berk bo‘lishi kerak bo‘lgan teskari siljigan o‘tishda tok
oqib o‘tadi. Gorizantal tranzistor effektini yo‘qotish uchun emitterlar orasidagi
masofa baza qatlamida tashuvchilarning diffuzion uzunligidan oshishi kerak.
agarda tranzistor oltin bilan legirlangan bo‘lsa, u holda diffuzion uzunlik 2-3 mkm
dan oshmaydi va 10-15 mkm dagi masofa yetarli hisoblanadi.
Ikkinchidan, KET tok uzatishning invers koeffisiyenti
iloji boricha kichik
bo‘lishi kerak. aks holda emitter teskari kuchlanish, kollektor to‘g‘ri kuchlanish
ostida bo‘lgan invers rejimda kollektor tomonidan injeksiyalangan
tashuvchilar
emitterga yetib boradi hamda emitter zanjirida teskari siljishga qaramasdan tok
oqib o‘tadi. Bu esa yuqorida qayd qilinganga o‘xshash effektdir.
Ma’lumki, invers uzatish koeffisiyenti har doim legirlash darajasi va emitter
hamda kollektor yuzalari farqi tufayli normal uzatish koeffisiyentidan kichik
bo‘ladi. KETlarda
I
invers koeffisiyentni ko‘shimcha
kamaytirish uchun suniy
ravishda sust bazaning qarshiligini oshirishadi. Buni omik bazaviy kontaktni,
tranzistorning faol sohasidan olib tashlash orqali amalga oshirishadi (4, a - rasm).
Bunday konfigurasiyada faol soha va baza kontakti orasidagi masofa qarshiligi
200-300 Omni tashkil qilsa, baza toki tufayli undagi kuchlanishi tushuvi 0,1-0,15
V ni tashkil qiladi. Demak, kollektor o‘tishdagi to‘g‘ri kulanish (invers rejimda)
faol sohada baza kontakti yaqinidagiga qaraganda 0,1-0,15 V ga kichik bo‘ladi.
Mos ravishda kollektordan bazaning faol sohasiga
elektronlarning injeksiyasi
sezilarsiz bo‘ladi va emitter orqali oqib o‘tadigan parazit tok deyarli mavjud
bo‘lmaydi.
