Ko‘p kollektorli n-p-n-tranzistor

Ko‘p kollektorli n-p-n-tranzistor. Ko‘p kollektorli tranzistor (KKT) 
strukturasi 5, a – rasmda ko‘rsatilgan bo‘lib, KET strukturasidan farq qilmaydi. 
KKTni invers rejimda ishlatilayotgan KET deb qarash mumkin. Umumiy emitter 
epitaksial n-qatlam bo‘lsa, kollektor sifatida yuqori legirlangan kichik 
o‘lchamlardagi n
+
-qatlami xizmat qiladi. Bunday yechim raqamli ISning keng 
tarqalgan sinfi bo‘lgan I
2
M injeksion mantiq sxemasining asosini tashkil qiladi. 
KKTning ekvivalent sxemasi 5, b – rasmda ko‘rsatilgan. 
KKTni ishlab chiqarishdagi asosiy muammo umumiy n-emitterdan har bir 
n
+
-kollektorga normal tok uzatish koeffisiyentini oshirishdan iboratdir. Tabiyki, bu 
muammo KETda yechilgan muammoga teskaridir. Unda n-qatlamdan n
+
-qatlamga 
uzatish koeffisiyentini kamaytirishga harakat qilingan. 
Mazkur holatda berkitilgan n
+
-qatlam bazaga yaqin joylashishi yoki u bilan 
tutashishi maqsadga muofiqdir. Bunda emitter bo‘ladigan yuqori legirlangan n
+
-
qatlam yuqori injeksiya koeffisiyentini ta’minlaydi. Ko‘chish koeffisiyentiga 
kelsak, uni oshirish uchun n
+
-kollektorlarni bazaning sust sohasining yuzasini 
kamaytirgan holda bir biriga yaqin joylashtirish kerak. Bu ikkla yo‘l albatta 
konstruktiv-texnologik 
omillar 
bilan 
cheklangandir. 
Shunday 
bo‘lsada, 
kollektorning nisbatan ajratgan holda joylashuvi barcha kollektorlar uchun uzatish 
koeffisiyentini 

=0,8-0,9 yoki kuchaytirish koeffisiyentini B=4-10 ni olish imkoni 

beradi. Bu esa kollektor soni 3-5 dan oshmagan I
2
M sxemalarni ishlashi uchun 
yetarlidir. 
5 – rasm. Ko’p kollektorli tranzistor
а –strukturasi; b – sxema ko’rinishdagi modeli;
c –injeksiyalangan tashuvchilarning harakatlanish trayektoriyasi 
Injeksiyalangan tashuvchilarning bazada xarakatlanish trayektoriyasi 5, c – 
rasmda ko‘rsatilgan. Ko‘rinib turubdiki, tashuvchilar shunday xarakatlanadiki, 
ularning kollektorga keluvchi ulushi kollektor yuzasini emitter yuzasiga nisbati 
bo‘yicha hisoblashlarda olish mumkin bo‘lgan qiymatdan katta bo‘lishiga olib 
keladi. Aynan shunga bog‘liq ravishda haqiqiy koeffisiyent B yuqorida keltirilgan 
katta qiymatlarga ega bo‘lishi mumkin. Shuning uchun 

va B koeffisiyentlarni 
hisoblashlarda geometrik emas, balki samarador yuzasiniishlatish kerak. 
Tashuvchilarning o‘rtacha trayektoriya uzunligi w faol baza qalinligidan 
oshishi 5, b – rasmdan ko‘rinib turubdi. Shuning uchun o‘rtacha diffuziya vaqti 
KET va alohida tranzistorlarga qaraganda ancha kichik bo‘ladi. O‘tish vaqtlari 
orasidagi farq ya’nada kattadir. Bunga sabab KKTda baza maydoni 
injeksiyalangan 
tashuvchilar 
uchun 
tezlashtiruvchi 
emas, 
balki 
sekinlashtiruvchidir. O‘tish vaqti 

o‘t
5-10 ns dan kichik bo‘lmagan vaqtni tashkil 
qilsa, bunga mos keluvchi chegaraviy chastota f
T
– 20-50 MGs dan oshmaydi. 
Boshqa tomondan esa n
+
-kollektor yuzasi kichik bo‘lganligi sababli 
KKTdagi kollektor C
K
sig‘imi KET va alohida tranzistorlarga qaraganda kichik 
bo‘ladi.