|
Elektronlar o‘zining bir qism energiyasini yuqori chastotali maydonga uzatishi KUD MDQka ega ekanini angalatadi
|
| bet | 6/8 | | Sana | 09.10.2024 | | Hajmi | 0,96 Mb. | | #274181 |
Bog'liq Yarim o’tkazgichli diodlar (2)Elektronlar o‘zining bir qism energiyasini yuqori chastotali maydonga uzatishi KUD MDQka ega ekanini angalatadi. O‘YUCH maydonga energiya uzatishning maqbul shartidan kelib chiqqan holda, UD li generatorning ishchi chastotasif ni baholaymiz: L =10 mkmni tashkil etganda f =5 GGs bo‘ladi. Hisoblab topilgan chastota uchib o‘tish chastotasi, ko‘rilgan rejim esa uchib o‘tish rejimi deb ataladi. Generatsiyalovchi diodlarning boshqa turini Gann diodlari tashkil etadi. Gann diodlari (GD) Gann diodlari (GD) – bir jinsli yarimo‘tkazgichda Gann effekti hisobiga MDQka ega yarimo‘tkazgich asbob. Hajmiy rezonatorga ulangan GD O‘YUChli garmonik tebranilar generatsiyalashga qodir. Diod uzunligi 10-2÷10-3 smli bir jinsli yarimo‘tkazgich plastinadan iborat. Plastinanig qarma –qarshi tomonlarida katod K va anod A deb ataluvchi metall kontaktlar hosil qilinadi. Gann diodlarini hosil qilish uchun n – turli GaAs, InSb, InAs va InP kabi birikmalardan foydalaniladi. Diod tebranish konturiga ulanadi. Gann diodi kontaktlariga kuchlanganligi 3∙103 V/smga yaqin elektr maydon hosil qiluvchi doimiy kuchlanish berilganda uning hajmida chastotasi 60 GGs gacha bo‘lgan elektr tebranishlar hosil bo‘ladi. Elektr tebranishlar quvvati 10 ÷ 15 Vt gacha bo‘ladi, diodning FIKi esа 10÷12 % ni tashkil etadi. GD asosidagi generatorning 10 GGs chastotadagi maksimal quvvati 2 Vtga yaqin (FIK 9÷15%). Chastota ortishi bilan u qonun bo‘yicha kamayib boradi. Bunday natijalar nobarqaror hajmiy zaryad sohasi rejimida olingan. GDlari ko‘chma radiolokatorlarda, aloqa tizimlarida, shuningdek mantiqiy elementlar sifatida va boshqa qurilmalarda keng qo‘llaniladi. Bir jinsli, n – turli GaAs va InP kristallarida Gann effekti asosini vohalararo o‘tish deb ataluvchi davriy tok impulslari hosil bo‘lishiga olib keluvchi o‘tish tashkil etadi. Qutbli yarimo‘tkazgichlarda o‘tkazuvchanlik zonasi energiyalar oralig‘i bilan bir – biridan ajratilgan bir nechta minimumga yoki “vohaga” ega. Soddalashtirish uchun, o‘tkazuvchanlik zonasi bosh voha 1 va ekvivalent voha 2 dan iborat deb hisoblanadi
GaAs uchun ∆W1=0,36 эВ, ∆Wg=1,43 эВ.
|
| |
