|
Dreyf tezlikning elektr maydon kuchlanganligiga bog‘liqligi
|
| bet | 7/8 | | Sana | 09.10.2024 | | Hajmi | 0,96 Mb. | | #274181 |
Bog'liq Yarim o’tkazgichli diodlar (2)Dreyf tezlikning elektr maydon kuchlanganligiga bog‘liqligi. Elektronlar (kovaklar) effektiv massasi material turiga, kristall tuzilishiga hamda zaryad tashuvchilar energiyasiga bog‘liq, chunki kristall panjara xususiy elektr maydoni tezlanishiga ushbu zarrachalar ta’sir etadi. GaAs kristalida elektronlarning yuqori – 2 vohadagi effektiv massasi mЭФ2=1,2m, pastki voha 1 dagisi esa mЭФ1=0,07m ni tashkil etadi, bu yerda m – vakuumdagi erkin elektronning massasi. Ikkinchi tomondan, elektronlar effektiv massasi ortgani sayin ularning harakatchanligi qonunga binoan kamayadi, bu yerda Т – kristallning absolyut temperaturasi.
Shuning uchun yuqori voha “og‘ir” elektrolarining harakatchanligi
100 см2/[V∙s], pastki voha “yengil” elektronlarining harakatchanligi esa 5000 sm2/[V∙s] ni tashkil etadi. Shunday qilib, berilgan temperaturada o‘tkazuvchanlik zonasida bir vaqtning o‘zida “yengil” va “og‘ir” elektronlar mavjud. Bolsman taqsimotiga muvofiq xona temperaturasida elektronlarning ko‘p qismi pastki vohada to‘planadi. Agar diodga katta bo‘lmagan potensiallar farqi berilsa, unda elektronlarni tezlatuvchi maydon hosil bo‘ladi.
Elektronlar tezlikka erishadilar va diodda tok hosil bo‘ladi. Tok hosil bo‘lishida yuqori voha elektronlarining ulushi, ular konsentratsiyasi kichik bo‘lgani sababli, hozircha juda kichik.
Yorug‘lik diodi Yorug‘lik diodi – bu elektr energiyasini nokogerent yorug‘lik nuriga aylantiradigan, bitta р-n o‘tishga ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichli asbob. Yorug‘lik nuri elektron – kovak juftlarining rekombinatsiyasi natijasida yuzaga keladi. Rekombinatsiya, р-n o‘tish to‘g‘ri ulanganda kuzatiladi. Rekombinatsiya doim ham nurlatuvchi bo‘lavermaydi va to‘g‘ri zonali yarim o‘tkazgichlarda, jumladan galliy arsenidida sodir bo‘ladi. Bunday yarim o‘tkazgichlar spetsifik xona diagrammasiga ega bo‘ladilar. Nurlanayotgan yorug‘lik to‘lqin uzunligi kvant energiyasi bilan aniqlanadi. U esa nurlanuvchi rekombinatsiyada yarim o‘tkazgichning ta’qiqlangan zona kengligiga deyarli teng bo‘ladi. Galliy arsenididan tayyorlangan yorug‘lik diodlari uchun = 0,9-1,4 mkm. Qizil, sariq va yashil rang nurlatuvchi diodlar galliy fosfati, siyoxrang nurlatuvchi diodlar esa – kremniy karbidi asosida yasaladilar va x.z.
|
| |
