|
- rasm. Termik oksidlash jarayoni
|
| bet | 8/28 | | Sana | 28.06.2024 | | Hajmi | 1,83 Mb. | | #266166 |
Bog'liq 3L0BY8wFsz3ScRmN61veYMgES1v83EaDjes7FCGs1.5- rasm. Termik oksidlash jarayoni
Legirlash. Yarimo‘tkazgich hajmiga kiritmalarni kiritish jarayoni legirlash deb ataladi. IMSlar tayyorlashda legirlash shemaning aktiv va passiv elementlarini hosil qilish uchun, zarur o‘tkazuvchanlikni ta’minlash uchun kerak. Legirlashning asosiy usullari yuqori temeraturalarda kiritmalar atomlarini diffuziyalash va yuqori energiyali ionlar bilan bombardimon qilish (ionlarni kristall panjaraga kiritish) dan iborat.
1.6- rasm. Ionli legirlash jarayoni
Diffuziya yordamida legirlash butun kristall yuzasi bo‘ylab yoki niqobdagi tirqishlar orqali ma’lum sohalarda (lokal) amalga oshiriladi. Ion legirlash yetarli energiyagacha tezlatilgan kiritma ionlarini niqobdagi tirqishlar orqali kristallga kiritish bilan amalga oshiriladi. Ion legirlash universalligi va oson amalga oshirilishi bilan xarakterlanadi.
1.7- rasm. Diffuziya yordamida legirlash
Yemirish. Yarimo‘tkazgich, uning sirtidagi oksidlar va boshqa birikmalarni kimyoviy moddalar hamda ularning aralashmalari yordamida eritib tozalash jarayoniga yemirish deyiladi. Yemirish yarimo‘tkazgich sirtini tozalash, oksid qatlamda «darcha»lar ochish va turli ko‘rinishga ega bo‘lgan «chuqurchalar» hosil qilish uchun qo‘llaniladi. Yarimo‘tkazgich sirtini tozalash va «darcha»lar hosil qilish uchun izotrop yemirishdan foydalaniladi, bunda yarimo‘tkazgich barcha kristallografik yo‘nalishlar bo‘ylab bir xil tezlikda eritiladi. Ba’zan yarimo‘tkazgichni turli kristallografik yo‘nalishlar bo‘ylab turli tezlikda eritish va natijada turli ko‘rinishga ega bo‘lgan «chuqurcha»lar hosil qilish zarur bo‘ladi.
1.8- rasm.Yemirish jarayoni
Anizotrop yemirish bilan, masalan, mikroshemalar tayyorlashda (elementlarni bir-biridan dielektrik bilan izolatsiyalashda) dielektrik qatlam o‘stiriluvchi «chuqurcha»lar hosil qilinadi. Fotolitografiya. Yarimo‘tkazgich plastinadagi metall yoki dielektrik pardalar sirtida ma’lum shakldagi lokal sohalarni hosil qilish jarayoni fotolitografiya deb ataladi. Ushbu sohalar kimyoviy yemirishdan himoyalangan bo‘lishi shart. Fotolitografiya jarayonida ultrabinafsha nur ta’sirida o‘z xususiyatlarini o‘zgartiruvchi, fotorezist deb ataluvchi, maxsus moddalar ishlatiladi.
1.9-rasm. Anizotrop yemirish jarayoni
Pardalar hosil qilish. Pardalar IS elementlarini elektr jihatdan ulash hamda rezistorlar, kondensatorlar va gibrid ISlarda elementlar orasidagi izolatsiyani amalga oshirish uchun qo‘llaniladi. Pardalar vakuumda termik bug‘latish, materialni ionlar bilan bombardimon qilib uchirish yoki gaz fazadan, suvli eritmadan kimyoviy
o‘tkazish usullari bilan hosil qilinadi. Har bir usulning afzalligi va
kamchiligi mavjud.
|
| |
