|
Elec16mbk elektronika va sxemalar 2
|
| bet | 7/28 | | Sana | 28.06.2024 | | Hajmi | 1,83 Mb. | | #266166 |
Bog'liq 3L0BY8wFsz3ScRmN61veYMgES1v83EaDjes7FCGs1.6. Yarimo‘tkazgich integral mikroshemalar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar
Tayyorlov operatsiyalari. Yarimo‘tkazgich IMSlar tayyorlash uchun asosiy material bo‘lgan - kremniy monokristall quymalari olishdan boshlanadi. Monokristall quymalar hosil qilishning bir qancha usullari mavjud.
Choxralskiy usulida tarkibiga donor yoki akseptor kiritmalar qo‘shilgan o‘ta toza kremniy eritmasi yuziga kremniy monokristalli tushiriladi. Eritma eritgan monokristall o‘z o‘qi atrofida asta-sekin aylantirilib ko‘tariladi. Monokristall ko‘tarilishi bilan eritma kristallanadi va kremniy monokristalli hosil bo‘ladi. Hosil bo‘lgan kremniy quymasi n–yoki p–turli elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Quyma uzunligi 150 sm, diametri esa 150 mm va undan katta bo‘lishi mumkin.
Zonali eritish usulida monokristall ifloslantiruvchi kiritmalardan qo‘shimcha tozalanadi. Bunda kristallning tor zonasi eritilib, eritilgan zona kristallning bir uchidan ikkinchi uchiga asta siljitib boriladi. Kiritmalarning erigan fazada eruvchanligi qattiq holatdagi eruvchanligiga qaraganda katta bo‘lsa, o‘sha kiritmalar suyuq fazaga o‘tib kristallning ikkinchi uchiga siljib boradi va o‘sha yerda to‘planadi. Kiritmalar to‘plangan soha tozalash jarayonlari tugagandan so‘ng kesib
tashlanadi.
Epitaksiya. Epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini akrorlovchi yupqa monokristall ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi. Asos bunda mustahkamlikni ta‟minlash va kristallanayotgan qatlam takrorlashi zarur bo‘lgan kristall panjara sifatida xizmat qiladi. Keyingi texnologik jarayonlarda epitaksial qatlamda IMSning aktiv va passiv elementlari hosil qilinadi.
1.4- rasm. Epitaksiya jarayoni
Termik oksidlash. Termik oksidlash – kremniy sirtida oksid (SiO2) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo‘l bilan oksidlashdan iborat jarayon. U yuqori (1000†1200) 0C temperaturalarda kechadi. IMSlar tayyorlashda SiO2 qatlam bir necha muhim funksiyalarni bajaradi: sirtni himoyalovchi qatlam; niqob vazifasini bajarib, undagi tirqishdan zarur kiritmalar kiritiladi; MDYA – tranzistorlarda zatvor ostidagi yupqa dielektrik qatlam sifatida ishlaydi.
|
| |
