|
Электроника фанининг мазмуни, электрониканинг ривожланиш босқичлари
|
| bet | 8/21 | | Sana | 22.05.2023 | | Hajmi | 0.51 Mb. | | #63034 |
Bog'liq Электроника фанининг мазмуни, электрониканинг ривожланиш бос ичл 5-amaliy ish\', 3-Amaliy topshiriqlari (1)Таркибий транзистор тушунчаси.
Каскадларнинг кучайтириш коэффициентлари ва кириш қаршиликлари учун ифодаларни таҳлил қилиб, уларнинг максимал қийматлари УЭ уланган схемада транзисторнинг дифференциал ток узатиш коэффициенти h21Э=β билан аниқланади деб хулоса қилиш мумкин. h21Э нинг реал қийматлари транзистор тузилмаси ва тайёрланиш технологияси билан аниқланади ва одатда бир неча юздан ошмайди. Бир нечта (одатда иккита) транзисторни ўзаро улаб h21Э қийматини ошириш муаммосини ҳал қилиш мумкин. Уланишлар шундай амалга оширилиши керакки, транзисторларни ягона транзистор деб қараш мумкин бўлсин.
Дарлингтон жуфтлиги (n-p-n турдаги) схемасига изоҳ беринг.
Бир турли транзисторга нисбатан схемалар биринчи марта Дарлингтон томонидан таклиф этилган эди, шунинг учун Дарлингтон жуфтлиги ёки таркибий транзистори деб аталади.
Юклама резисторли таркибий транзистор схемасига изоҳ беринг.
Юклама транзисторларнинг эмиттер занжирига уланади, демак улар кучланиш қайтаргичлари режимида ишлайдилар. Қувват кучайиши ток кучайиши билан амалга оширилади. Икки қутбли кучланиш манбалари (+ЕМ ва –ЕМ) қўлланилганига алоҳида эътибор қаратамиз. Шу сабабли сокинлик режимида иккала транзистор берк ҳолатда бўлади, чунки эмиттер ўтишлардаги кучланиш нольга тенг бўлади. Натижада, сокинлик режимида схема энергия истеъмол қилмайди.
Таркибий транзистор (эмиттер қайтаргич) схемаси.
Эмиттер қайтаргич классик схемаси 6.9 – расмда келтирилган. Транзисторга ўзгармас кириш кучланиши берилганда (А режим), эмиттер занжирида RЭ резисторда кучланиш пасайишини юзага келтирувчи ўзгармас ток оқиб ўтади. Чиқиш кучланиш Uчиқ шундай ўрнатиладики, база – эмиттер кучланиши га тенг бўлсин.
Дарлингтон жуфтлиг, унинг схемасига изоҳ беринг.
Ushbu diagrammada R1 va R2 rezistorlari birinchi tranzistor asosida ofset hosil qiluvchi kuchlanish bo'linmasini tashkil qiladi. Murakkab tranzistor emitteriga ulangan rN qarshiligi chiqish davri hosil qiladi. Bunday qurilma keng .amalda, ayniqsa, yuqori oqim daromad talab qiladigan hollarda qo'llaniladi. Diagramma kirish signaliga yuqori sezuvchanlikka ega va yuqori chiqish manifoldu oqimi bilan ajralib turadi, bu esa ushbu oqimni nazorat qiluvchi (ayniqsa, past kuchlanishli) sifatida ishlatishga imkon beradi. Darlington sxemasidan foydalanish sxemalardagi tarkibiy qismlarning sonini kamaytirishga yordam beradi.
|
| |
