• Интеграл микросхемаларнинг (рақамли) асосий параметрлари.
  • 11. ИМСлар яратишнинг технологик жараёни.
  • Интеграл микросхемаларнинг (ИМС) актив ва пассив элементлари




    Download 0.51 Mb.
    bet4/21
    Sana22.05.2023
    Hajmi0.51 Mb.
    #63034
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   21
    Bog'liq
    Электроника фанининг мазмуни, электрониканинг ривожланиш бос ичл
    5-amaliy ish\', 3-Amaliy topshiriqlari (1)
    Интеграл микросхемаларнинг (ИМС) актив ва пассив элементлари.

    Yarim o'tkazgich IMS ning faol va passiv elementlari bipolyar tranzistor tuzilishi asosida amalga oshirilishi mumkin. Emitter e, kollektor K va b ma'lumotlar bazasining xulosalari boshqa elementlarning xulosalari bilan bir xil tekislikda yotadi. Ushbu dizayn planar deb ataladi. Planar strukturada kollektor oqimining uzunligi oshadi va shuning uchun bu oqimning qarshiligi tranzistorning bir qator parametrlariga salbiy ta'sir ko'rsatadi. Kollektor maydonining qarshiligini kamaytirish uchun u n + -tipli past yashirin qatlamni yaratadi.

    1. Интеграл микросхемаларнинг (рақамли) асосий параметрлари.

    Рақамли техника ҳозирги кунда ҳисоблаш техникасининг асосини ташкил қилиб қуйидаги йўналишларда кенг қўлланилмоқда:
    - Технологик жараёнларни автоматик бошқариш, техник хусусиятларини автоматик назорат қилиш ва ташхис қилиш;
    - Электрон ҳисоблаш машиналарида административ бошқариш, илмий ишлар ва автоматлаштирилган лойиҳалаштиришлар учун фойдаланилмоқда.
    - Рақамли техниканинг ривожланишига 1949 йилда транзисторнинг яратилиши туртки бўлди. Бизга маълум бўлган мантиқий функция ва амалларни ҳосил қилишда транзисторлардан фойдаланиш имконияти мавжудлиги рақамли техниканинг шу даражада жадал ривожланишига олиб келди
    - Рақамли қурилмалар деб, мантиқий алгебра функцияларини амалга ошириш учун ишлатиладиган қурилмаларга айтилади.
    - Рақамли қурилмалар кодли сўзларни киритиш ва чиқариш усулига қараб кетма-кет, параллел ва аралаш турларга бўлинади.
    - Кетма-кет рақамли қурилма киришига кодли сўз белгилари бир вақтда берилмайди.
    11. ИМСлар яратишнинг технологик жараёни.
    Интеграл микросхема (ИМС) кўп сонли транзистор, диод, конденсатор, резистор ва уларни бир – бирига уловчи ўтказгичларни ягона конструкцияга бирлаштиришни (конструктив интеграция); схемада мураккаб ахборот ўзгартиришлар бажарилишини (схемотехник интеграция); ягона технологик циклда, бир вақтнинг ўзида схеманинг электрорадио элементлари (ЭРЭ) ҳосил қилинишини, уланишлар амалга оширилишини ва бир вақтда гуруҳ усули билан кўп сонли бир хил интеграл микросхемалар ҳосил қилиш (технологик интеграция) ни акс эттиради. ИМС, ягона технологик циклда, ягона асосда тайёрланган ва ахборот ўзгартиришда маълум функцияни бажарувчи ўзаро электр жиҳатдан уланган ЭРЭлар мажмуасидир


    1. Download 0.51 Mb.
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   21




    Download 0.51 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Интеграл микросхемаларнинг (ИМС) актив ва пассив элементлари

    Download 0.51 Mb.