• Javob: p Metallning qarshiligi, l - o‘tkazgichning uzunligi, s - kesma maydoni. Foydalanilgan adabiyotlar
  • Internet sayitlari 1. w.w.w.tsts.uz 2. w.w.w. abt.uz 3. w.w.w.scbist.orj 4. w.w.w.Wikipedia. 5. www.magistral.ru 20-Mavzu
  • Mavzuni mustahkamlash uchun savollar




    Download 27,19 Mb.
    bet135/156
    Sana27.11.2023
    Hajmi27,19 Mb.
    #106725
    1   ...   131   132   133   134   135   136   137   138   ...   156
    Bog'liq
    namuna

    Mavzuni mustahkamlash uchun savollar:
    1.Elektr qarshiligi nima?
    Javob: -tok o‘tkazgichdan o‘tganda qanday to‘siq paydo bo‘lishini ko‘rsatadigan jismoniy miqdor
    2. Metalldagi zaryad tashuvchilar nimalar ?
    Javob: Metalldagi zaryad tashuvchilar "erkin" elektronlar bo‘lib, ular ma'lum bir atomga tegishli emas, lekin tasodifiy ravishda panjara joylari o‘rtasida harakatlanadi.
    3. Qarshilik qanday kattalik ?
    Javob: Qarshilik kabi muhim tushuncha mavjud, bu bir xil qarshilik, faqat uzunlik birligida. Har bir metallning o‘ziga xos xususiyati bor, masalan, mis uchun 0,0175 Ohm * mm2 / m, alyuminiy uchun 0,0271 Ohm * mm2 / m.
    4. Butun o‘tkazgichning qarshiligini hisoblash uchun qanday fo‘rmuladan foydalaniladi ?
    Javob: 

    p Metallning qarshiligi, l - o‘tkazgichning uzunligi, s - kesma maydoni.


    Foydalanilgan adabiyotlar

    A.X.Sulliyev, I.M.Bedritskiy, O.T.Boltayev “Elektrotexnika materiallari” Toshkent-2017 (188-190 bet).




    Internet sayitlari
    1. w.w.w.tsts.uz
    2. w.w.w. abt.uz
    3. w.w.w.scbist.orj
    4. w.w.w.Wikipedia.
    5. www.magistral.ru

    20-Mavzu: Yarim o‘tkazgichning o‘tkazuvchanligi
    Reja:
    1. Yarim o‘tkazgich tarkibidagi qo‘shimchalar.
    2. Yarim о‘tkazgichlarning xususiyatlari.
    3. Yarim о‘tkazgichli diodlar
    1. Yarim o‘tkazgich tarkibidagi qo‘shimchalar
    Jism o‘z agregat holatini o‘zgartirganda atomlarning energetik holatlari tashqi ta’sir orqali bir-biriga nisbatan siljiydi va ko‘p miqdordagi energetik zonalar vujudga keladi. Dielektrik, yarim o‘tkazgich va o‘tkazgichlarning energetik diagrammalari bir-biridan keskin farq qiladi. Bu farq ulardagi ta’qiq zonalarining o‘lchami bilan belgilanadi. Har bir jismning atomi o‘zining aniq spektr chizig‘iga ega. Turli atomlar o‘zining aniq energetik holatiga ega bo‘lib, ular bir energetic holatdan ikkinchisiga o‘tganda kvant chiqaradi yoki yutadi. Agar atom katta energetik holatdan kichikrog‘iga o‘tsa, u o‘zidan energiya ajratib chiqaradi va nurlanish sodir bo‘ladi, aksincha bo‘laganida esa, atom energiyani yutadi.
    Shunday qilib, atom tashqi energetik ta’sir orqali o‘z holatini o‘zgartiradi.
    Yarim o‘tkazgichlarning ta’qiq zonalari o‘tkazgich va dielektriklarning ta’qiq zonalari oralag‘ida joylashib, mazkur zona ancha kichik va yengib o‘tish uchun ma’lum darajali energetik ta’sir yetarlidir. Agar tashqi ta’sir etayotgan maydon energiyasi ta’qiq zonadagi elektronlarning energiyasi darajasiga yetsa, yarim o‘tkazgichlarda elektr o‘tkazuvchanlik sodir bo‘ladi.
    To‘latilgan (valent) zonadan elektron ketishi bilan uning o‘rnida teshik hosil bo‘ladi va bu teshik ekvivalent musbat zaryad sifatida maydon yo‘nalishi bo‘yicha siljiydi. Bu siljish elektronlarning maydonga teskari harakati natijasida ro‘y berib, teshiklar siljiyotgan elektronlar bilan to‘latiladi. Harorat ortishi bilan yarim o‘tkazgichda ozod elektronlar soni ko‘paya boradi, harorat mutloq nolga yaqinlashganda esa ularning soni nolgacha kamayadi. Agar yarim o‘tkazgichda ozod elektron umuman bo‘lmasa (T=OK), elektr potensiali ta’sir etgani bilan undan tok o‘tmaydi.
    Yarim o‘tkazgich kristallarida qo‘shimchalarning juda kam (10) miqdori ham uning elektr o‘tkazuvchanligiga katta ta’sir ko‘rsatadi. Qo‘shimcha taqiq zonada yangi energetik sath ozod zonaga yaqin joylashgan bo‘lsa, bu sathdan elektron ozod zonaga osonlikcha o‘tib (kichik energiya ta’sirida), kristallda elektron o‘tkazuvchanlikni sodir etadi. Bunday yarim o‘tkazgich n-turli bo‘lib, tarkibiga kiritilgan qo‘shimcha “donor” deyiladi.
    Agar qo‘shimchaning energetik sathi zonadan pastroq zonaga o‘tishi natijasida “teshik” yoki “kovak” qoldiradi. Elektron bir sathdan ikkinchi sathga ko‘chishida uning o‘rnida qolgan teshik ham siljiydi. Teshikning siljish yo‘nalishi maydon vektori (E) yo‘nalishiga yoki musbat zaryad yo‘nalishiga mos tushadi. Bu
    turdagi yarim o‘tkazgichlar teshikli (P-turli) yarim o‘tkazgichlar deyilib, ularning qo‘shimchalari “atseptor”lar deyiladi.
    Elektr o‘tkazuvchanlik tajribada osongina aniqlanib, bunda turli yarim o‘tkazgichning bir tomoni qizdirilsa, u yerda ozod elektronlar soni keskin ko‘payib, bu qism manfiy zaryadga ega bo‘ladi. Agar p-turli o‘tkazgichning ham bir tomoni qizdirilsa, u yerda teshiklar keskin ko‘payib, kristallning bu qismi musbat zaryadga ega bo‘lib qoladi.
    Yarim o‘tkazgichlarda “p-n” o‘tishini yuzaga keltirib, bu qismlarga mos ravishda musbat va manfiy potensiallar berilsa, “n” qismidan elektronlar, “p” qismidan aks yo‘nalishda teshiklar siljib, zanjirda tok oqimi hosil bo‘ladi. Aksincha, potensiallar teskari yo‘nalishda berilsa, katta qarshilikka ega qatlam vujudga kelib, tok o‘tishi keskin cheklanadi.
    Yarim o‘tkazgichlarning “n” turdagi asosiy zaryad eltuvchilari elektronlar, “p” turlisida esa teshiklar hisoblanadi. “p-n” o‘tishda yarim o‘tkazgich (germaniy, kremniy va hokazo) yuzasidan qo‘shimcha (indiy, fosfor)larni eritish orqali hosil qilinadi. Bunda monokristall yupqa taxtacha shaklida kesib tekislanadi, saqlaniladi, tozalanadi va grafitli kassetaga o‘rnatilib, pechda ma’lum vaqt issiqlik ta’sir ettiriladi. Bu usul elektronli yarim o‘tkazgichda esa donor qo‘shimchasini eritishga asoslangan.136
    p-n” o‘tishi elektr-kimyoviy, kristall olish (o‘stirish mobaynida) va boshqa usullarda ham hosil qilinadi.
    Agar yarim o‘tkazgich kristallida p-n-p yoki (n-p-n) o‘tishlar hosil qilinib, bu qismlar (emitter–1, kollektor–2, elektrod-3)ga simlar ulansa, tok kuchaytiruvchi asbob-tranzistor vujudga keladi. “p-n” o‘tishli diodlarning belgilanishidagi birinchi harf: G-germaniy, K- kremniy, A-galliy, I-indiy; ikkinchi harf: D-to‘g‘irlagich, impuls, magnit va termodiod, Ts-to‘g‘rilagich ustuni (bloki), V-varikan, I-tunnelli, A-yuqori chastotali, S-stabilitron, G-shovqin generatori, L-nurlatuvchi asbob, N-diodli tiristor, U-triodli tiristor; uchinchi harf asbob parametrik, qo‘llanilishi, ish prinsipi; to‘rtinchisi - asbob tayyorlanish turini; beshinchisi-asbob tasniflanishini bildiradi.

    Download 27,19 Mb.
    1   ...   131   132   133   134   135   136   137   138   ...   156




    Download 27,19 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Mavzuni mustahkamlash uchun savollar

    Download 27,19 Mb.