• Yarim о‘tkazgichli diodlar
  • Selenli diod
  • Yarim о‘tkazgichlarning xususiyatlari




    Download 27,19 Mb.
    bet136/156
    Sana27.11.2023
    Hajmi27,19 Mb.
    #106725
    1   ...   132   133   134   135   136   137   138   139   ...   156
    Bog'liq
    namuna

    Yarim о‘tkazgichlarning xususiyatlari
    Barcha qattiq jismlar о‘zlarining solishtirma о‘tkazuv-chanliklariga kо‘ra metallar, dielektriklar (izolyatorlar) va yarim о‘tkazgichlarga bо‘linadi. Metallarning solishtirma о‘tkazuvchanligi 10 2 dan 10 4 Sm gacha bо‘lgan oraliqda о‘zga-radi, dielektriklar uchun bu oraliq 10 24 dan 10 12 gacha bо‘lsa, yarim о‘tkazgichlarda 10 11 dan 10 1 Sm gacha qiymatlarni tash-kil etadi. Yarim о‘tkazgichlarning eng harakterli jihatlaridan biri ularning solishtirma о‘tkazuvchanliklarining temperatura kо‘tarilishiga bog‘liq holda ortishida namoyon bо‘ladi. Ammo bu xususiyat temperatura о‘zgarishining har qanday oralig‘ida ham yuzaga kelavermaydi yoki har qanday yarim о‘tkazgichda ham kuzatilavermaydi.
    Yarim о‘tkazgichlarning xususiyati ularning о‘tkazuvchan-ligini tashqi ta’sirlar (temperatura, yoritilganlik, radioaktiv nurlanish) ostida, shuningdek uncha katta bо‘lmagan miqdorda aralashma atom kiritish (legirlash) natijasida о‘zgartirish imkonining mavjudligidadir. Ularning bu xususiyatlaridan qattiq jism elektronikasida yarim о‘t-kazgichlardan amalda foydalanish asosini tashkil etadi.
    Kimyoviy tarkibiga kо‘ra yarim о‘tkazgichlar faqat bitta kimyoviy element atomidan iborat elementar, ikki va undan kо‘proq kimyoviy elementlar
    atomlaridan iborat bо‘lgan kompozitsion, yoki murakkab holda bо‘ladi. Ulardan birinchisiga davriy sistemaning IV guruh elementlari ger-maniy va kremniy, ikkinchi guruhiga III va V, hamda II va VI guruhlar elementlarining mos holda A III BV va A II BVI kо‘rinishdagi shartli belgilar bilan ifodalanuvchi aralashmalari kiradi.
    Tranzistorlarning belgilanishidagi birinchi harf: G-germaniy, K-kremniy, G- galliy va hokazo: ikkinchisi: T-qo‘sh qutbli transistor; uchinchisi: sarflanadigan energiya va chastotani, to‘rtinchisi: asbob tartibi va guruhini bildiradi.
    Tiristorda p-n qatlamlari ketma-ket qaytarilib, chekka qismlarida chiquv simlariga ega. O‘rta qismida qo‘shimcha chiquv simlariga ega tiristor trinistor deyiladi. Tashqi nur yordamida boshqariladigan tiristor-fototiristor, ichki nurli signalda boshqariladigani optotiristor deyiladi. Optoelektronli yarim o‘tkazgichlarga nur tarqatuvchi diod (Al navli), infraqizil nurlatuvchi diod (IQ diod) misol bo‘la oladi.
    Yarim о‘tkazgichli diodlar
    Zamonaviy texnika sohalarida qо‘llaniluvchi elektron qurilmalar asosan yarim о‘tkazgichli diodlar va bir nechta о‘tishli asboblardan tashkil topgan. Bunga yarim о‘tkazgichli asboblarning о‘lchamlari va vazni kichikligi, foydali ish koeffitsiyentining yuqoriligi, uzoq muddat xizmat qilishi va yuqori chidamligi kabi afzalliklarga egaligi asos bо‘lgan.
    Yarim о‘tkazgichli diod bu bitta elektr о‘tish (r-n о‘tish) li va yarim о‘tkazgichga jipslashtirilgan metalldan chiqarilgan ikki chiqishga ega asbobdir.
    Elektr о‘tish asosan ikki turdagi elektr о‘tkazuvchanlikka ega aralashma (r- yoki n- tipdagi) orasida hosil bо‘ladi. Bu sohalardan biri (kichik qarshilikli) emitter, boshqasi (yuqori qarshilikli) baza deyiladi.
    Bazan elektr о‘tkazuvchanlik r- yoki n- tipdagi yarim о‘tkazgich bilan metall orasida hosil qilinadi va bunday о‘tish metall yarim о‘tkazgich tutashuvi deyiladi.
    Diodlar turli belgilarga kо‘ra sinflanadi: yarim о‘tkazgich materialiga kо‘ra kremniyli, germaniyli, galliy arsenidli, selenli; ishlash asosini belgilab beruvchi jarayonlar tabiatiga kо‘ra tunelli, fotodiodlar, yorug‘lik diodlari va h.k.; qо‘llanilish maqsadlariga kо‘ra tо‘g‘rilovchi, impulsli, stabilitronlar, varikaplar va h.k.; elektr о‘tishni tayyorlash texnologiyasiga qо‘ra eritish, diffuziya va h.k.; elektr о‘tish tipiga kо‘ra nuqtali va yassi. Ular ichida eng asosiysi elektr о‘tish turiga va qо‘llanilish maqsadlariga kо‘ra sinflanishidir.
    Hozirgi vaqtda keng qо‘llanilayotgan diodlar selen, germaniy, kremniydan yasalgan bо‘lib, galliy arsenididan va fosfididan diodlar tayorlash kelajagi porloq ekanligi tasdiqlangan.Selenli diod dumaloq disklar (shaybalar) yoki tо‘g‘ri burchakli plastinkalar kо‘rinishida yasalgan tо‘g‘irlagich plastinkalardan yig‘iladi. Bu plastinkalarni ketmaket yoki parallel ulab, talab qilingan quvvatli tо‘g‘irlagich ele-menti hosil qilinadi.



    Download 27,19 Mb.
    1   ...   132   133   134   135   136   137   138   139   ...   156




    Download 27,19 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Yarim о‘tkazgichlarning xususiyatlari

    Download 27,19 Mb.