|
MDP-tranzistor asosli integral mantiqiy sxemalarning bazaviy elementlari
|
| bet | 13/44 | | Sana | 23.05.2024 | | Hajmi | 252,1 Kb. | | #251181 |
Bog'liq Impuls texnologiyasida qisqa muddatli intervalgacha elektr tebraMDP-tranzistor asosli integral mantiqiy sxemalarning bazaviy elementlari. Quyida MDP- transistor asosli integral mantiqiy sxemalarning asosiy ikki turi ko’rib chiqilgan.
1.18-rasm. TTMSH mantiq mikrosxemasining bazaviy elementi:
a – sxema; b – Shottki tranzistorining ekvivalent sxemasi
Bir tipli MDP – transistor asosida yaratilgan mantiqiy sxemalar. Bu sxemalarda faqat bir tipdagi tranzistorlardan yoki p – kanalli, yoki n - kanallilardan foydalaniladi. Amaliyotda ko’proq n-kanalli MDP - tranzistorlar qo’llaniladi, sababi, bu tipdagi tranzistorlar yuqoriroq tezlikni ta'minlaydi. Mantiqiy YOKI-YO’Q va VA-YO’Q elementlarning n-kanalli MDP – tranzistor asosidagi tipik sxemalar 1.19, a, b-rasmda keltirilgan. Bu sxemalarda VTa1 va VTa2 - aktiv (boshqaruvchi) tranzistorlar, VTyuk - yuklamali tranzistordir.
1.19-rasm. MDP – transistor asosidagi mantiqiy elementlar:
a - YOKI-YO’Q; b - VA-YO’Q
YOKI-YO’Q elementining uzatish xarakteristikasi 1.20-rasmda, chiqish volt-amper xarakteristikasi esa 1.21-rasmda keltirilgan. Aktiv tranzistorlarning VTa1 va VTa2 (Ukir < U0, U0- chegaraviy kuchlanish) zatvorlaridagi kuchlanishlarning kichik qiymatlarida, bu tranzistorlar yopiq holda bo'ladi va stok toki nolga teng bo'ladi. Chiqishda yuqori potensial o'rnatiladi U1chiq =E - U0 – mantiqiy bir darajasiga teng bo’ladi. VTa1 yoki VTa2 tranzistor zatvorlaridagi kirish kuchlanishi, U0 – chegaraviy kuchlanishdan katta bo'lsa, shu qiymatga to’gri keladigan tranzistor ochiladi va stok toki o'ta boshlaydi. Ukir kuchlanishini keyingi qiymatining ortishi, Uchiq kuchlanishining kamayishiga olib keladi. Mantiqiy nolning kichkina qiymatiga erishish uchun, VTa1 (yoki VTa2) ochiq tranzistorning kanal qarshiligi, VTyuk tranzistorning kanal qarshiligidan ancha kichik bo'lishi kerak. Xususan, eng zarur shartlardan bo’lib, VTa1 tranzistor, VTa2 tranzistor kabi, volt-amper xarakteristikasining ko’tarilish qismida ishlashi kerak, VTyuk tranzistori esa – pasayishi qismida ishlashi kerak:
,
bu yerda, ba va byuk – aktiv va yuklamali tranzistorlarning solishtirma o’zgarish darajasi.
Hisob-kitoblarni soddalashtirish uchun, tranzistorning chegaraviy kuchlanishlarini bir xil deb olib, uni U0 teng deb olamiz (nisbatan aniq hisob-kitob uchun U0 kuhlanish qiymatining istok bilan podlojka orasidagi kuchlanishiga bog'liqligini hisobga olish zarur, chunki har xil integral sxema tranzistorlari uchun bu qiymat har xil bo’ladi). Bir tipli MDP tranzistorlar asosidagi integral mantiqiy sxemalarning asosiy parametrlarini hisoblash uchun analitik ifodalar 1.6-jadvalda keltirilgan.
1.6.-jadval
|
| |
