|
Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq
|
| bet | 4/9 | | Sana | 21.05.2024 | | Hajmi | 0,98 Mb. | | #248318 |
Bog'liq 1-tajriba E va S2 SIRTQI2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq.
2.1. O‘zgarmas tok bo‘yicha tranzistor rejimini o‘rnatish.
2.1.1. 5.2.2 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing (bu 5.2.1 – rasmda keltirilgan kuchaytirgich kaskadi sxemasining tranzistor ishchi nuqtasini aniqlovchi qismi). Har bir talaba o‘z variantlar bo‘yicha qiymatlarni 5.2.1-jadvaldan oladi.
Misol uchun:
E2 =10 V.
RK =3,3 kOm.
RB =10-56 kOm o‘rnating.
O‘zgarmas , kuchlanishlarni o‘lchash uchun voltmetrlarni ulang.
5.2.2-rasm. Kuchaytirgich ishchi rejimini o‘rnatish.
2.1.2. E1 kattalikni o‘zgartirib borib, (*) bo‘lgan hol uchun tranzistor ishchi nuqtasini tanlang.
5.2.1-jadval. Variantlar bo‘yicha qiymatlar jadvali.
№
|
E1
|
E2
|
Re
|
Rk
|
E1
|
E2
|
Re
|
Rk
|
1
|
1
|
23
|
1
|
23
|
23
|
1
|
23
|
1
|
2
|
2
|
22
|
2
|
22
|
22
|
2
|
22
|
2
|
3
|
3
|
21
|
3
|
21
|
21
|
3
|
21
|
3
|
4
|
4
|
20
|
4
|
20
|
20
|
4
|
20
|
4
|
5
|
5
|
19
|
5
|
19
|
19
|
5
|
19
|
5
|
6
|
6
|
18
|
6
|
18
|
18
|
6
|
18
|
6
|
7
|
7
|
17
|
7
|
17
|
17
|
7
|
17
|
7
|
8
|
8
|
16
|
8
|
16
|
16
|
8
|
16
|
8
|
9
|
9
|
15
|
9
|
15
|
15
|
9
|
15
|
9
|
10
|
10
|
14
|
10
|
14
|
14
|
10
|
14
|
10
|
11
|
11
|
13
|
11
|
13
|
13
|
11
|
13
|
11
|
13
|
13
|
11
|
13
|
11
|
11
|
13
|
11
|
13
|
14
|
14
|
10
|
14
|
10
|
10
|
14
|
10
|
14
|
15
|
15
|
9
|
15
|
9
|
9
|
15
|
9
|
15
|
16
|
16
|
8
|
16
|
8
|
8
|
16
|
8
|
16
|
17
|
17
|
7
|
17
|
7
|
7
|
17
|
7
|
17
|
18
|
18
|
6
|
18
|
6
|
6
|
18
|
6
|
18
|
19
|
19
|
5
|
19
|
5
|
5
|
19
|
5
|
19
|
20
|
20
|
4
|
20
|
4
|
4
|
20
|
4
|
20
|
21
|
21
|
3
|
21
|
3
|
3
|
21
|
3
|
21
|
22
|
22
|
2
|
22
|
2
|
2
|
22
|
2
|
22
|
23
|
23
|
1
|
23
|
1
|
1
|
23
|
1
|
23
|
kuchlanishni o‘lchang va o‘zgarmas tashkil etuvchilarini aniqlang.
Baza toki,
(5.2.6),
kollektor toki (5.2.7),
va baza tokini statik uzatish koeffitsiyenti,
(5.2.8).
(*) Real sxemalarda E1 = E2 qilib hamda mos RB kattaliklari tanlanadi.
2.2. O‘lchov natijalariga ishlov berish:
Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti: .
Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti: .
Quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti: .
Dinamik kirish qarshiligi: .
Dinamik chiqish qarshiligi: .
Hisoblangan natijalar asosida quyidagi grafiklarni chizing:
Hisobot mazmuni:
- o‘lchash sxemalari;
- olingan bog‘liqlik jadvallari va grafiklari;
- o‘lchash va hisoblash natijalarining tahlili.
BT da yasalgan UB kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish.
Ishning maqsadi: Sxemalarda bipolyar tranzistor (BT) bazasi umumiy (UB) qilib bajarilgan kuchaytirgich kaskadlarini tajribada tahlil qilish, yuklama qarshiligi qiymatining kuchaytirgich parametrlariga ta’sirini o‘rganish.
Qisqacha ma’lumot. Sxemalarda signal manbai BT ning baza yoki emitter elektrodiga, yuklama esa kollektor yoki emitter elektrodiga ulanishi mumkin. Bu hollarda BT ning uchinchi elektrodi kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy bo‘lib qoladi. Sxemalarda tranzistorning qaysi elektrodi signal (o‘zgaruvchan tok) bo‘yicha umumiyligiga qarab, tranzistor UE, UB, UK ulanishlarga ega deyiladi. Bunday sxemalar umumiy emitter (UE) li, umumiy baza (UB) li, umumiy kollektor (UK) li deb nomlangan (5.3.1-rasm).
Elektron sxemalarni tahlil qilish uchun BT ning elektrodlari orasidagi tok va kuchlanishlar bir-biri bilan qanday bog‘langanligini, ya’ni uning volt-amper xarakteristikasi (VAX) ni bilish zarur.
Kuchaytirgich kaskadlarini tahlil qilishda bizni qu‘yidagi parametrlar qiziqtiradi: quvvatni kuchaytirish koeffitsiyenti Kp, kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti KU, tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti K1, kuchaytirgich kaskadining past chastotalari oralig‘idagi kirish qarshiligi RKIR va chiqish qarshiligi RChIQ. Past chastotalarda (kvazistatik rejimda) BT ning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyentini va p-n o‘tishlar parazit sig‘imlarning chastotaviy o‘zgarishlari hisobga olinmaydi. C1, C2 va C3 kondensatorlar sig‘imlari shu qadar katta (mkF) olinadiki, ishchi chastotalarda ularning qarshiliklarini hisobga olmasa bo‘ladi. Bu elektr ta’minlash manbai EK ga ham tegishli chunki Cf kondensator elektr manbai o‘zgaruvchan tok bo‘yicha shuntlanadi.
5.3.1-rasmdagi R1 va R2 rezistorlar, RK va RYu rezistorlardek parallel ulangan.
Maketning tavsifi. Maketda germaniyli, kam quvvatli, past chastotali MPS3702 tranzistor ishlatiladi. Uning parametrlaridan ishchi kuchlanishi U=(30..50) V, maksimal quvvati PMAX=200 mW ekanligini ko‘rish mumkin.
Sxemaning boshqa elementlari parametrlari qu‘yidagicha:
R1=1 kOm, R2=11 kOm, R3=5.1 kOm, R4=3.6 kOm, R5=3.6 kOm, R6=47 kOm, R7=20 Om, R8=510 Om, R9=3.6 kOm, R10=10kOm.
5.3.1 – rasm. UB sxemasidagi kuchaytirgich kaskadi sxemasi.
Ishni bajarish tartibi.
Maketni elektr tarmog‘iga ulang. Kirish qarshiligi yuqori bo‘lgan o‘zgaruvchan kuchlanishlarni o‘lchaydigan asbob (millivoltmetr) ni ishga tayyorlang.
3. UB ulangan sxemani o‘rganish.
3.1. Tranzistor bazasi umumiy ulangan kuchaytirgich sxemasini yig‘ing. Sxemaga R10=10 kOm rezistor yuklama sifatida ulanadi RYu=R10=10 kOm.
3.2. O‘zgarmas kuchlanishni o‘lchaydigan asbobni nazorat nuqtalarga ulab tranzistorning sokinlik holati parametrlarini aniqlang. Nazorat nuqtalarning o‘lchangan potentsiallari va RE = 1 kOm, RK= 1 kOm rezistorlar qiymatlarini hisobga olib kollektor, emitter va baza sokinlik toklarini toping hamda 5.3.1-jadvalni to‘ldiring.
5.3.1- jadval. Hisoblash natijalarini to‘ldirish jadvali.
α, grad.
|
E1, V
|
IE, mА
|
UKB, V
|
IК, mА
|
UEB, V
|
C
|
0
|
|
|
|
|
|
|
30
|
|
|
|
|
|
|
60
|
|
|
|
|
|
|
90
|
|
|
|
|
|
|
120
|
|
|
|
|
|
|
150
|
|
|
|
|
|
|
180
|
|
|
|
|
|
|
210
|
|
|
|
|
|
|
240
|
|
|
|
|
|
|
270
|
|
|
|
|
|
|
300
|
|
|
|
|
|
|
330
|
|
|
|
|
|
|
360
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
