D
2
– MOP – ikki diffuziyali MOP – tranzistor;
I
2
L
– integral
injeksiya logika asosida;
I
3
L
– integral injeksiya izoplanar logika asosida;
K
– komplementarli;
MDP
– metall-dielektrik yarim o’tkazgichli;
MOP
– metall-okisel yarim o’tkazgichli;
TTL
– tranzistor-tranzistor logikasida;
TTLSH
– shotki bar’erli tranzistor-tranzistor logikasida;
ESL
– emmiterli bog’langan va shunga o’xshashlar.
MP larning tavsiflarini yaxshilash ularning texnologiyalarini o’zgartirib yaxshilab borish bilan
bog’liq.
MP
yaratilish texnologiyasi bo’yicha asosan uchta avlodga bo’linadi:
1. r
– kanal asosidagi MOP – texnologiyali;
2. n
– kanal asosidagi komplementarli MOP – texnologiyali;
3. bipolyar asosidagi texnologiyali.
Birinchi avloddagi MP (1971 y) buyruqlarni bajarishga ketgan vaqti (10-20 mks) va tanlanadigan
buyruqlarni
chegaralanganligi, xotirasining kichikligi, adreslash turlari bilan tavsiflanadi.
Ikkinchi avloddagi MP (1973 y) birinchi avloddagiga nisbatan buyruqlarga sarf etilgan vaqtning
kamligi (2-
5 mks), tanlanadigan buyruqlarning ko’payganligi, xotirasining kattaligi va adreslash
turlari bilan tavsiflanadi.
Uchinchi avloddagi MP (1974 y) bipolyar texnologiya asosida qurilgan. Bunday MP lar yuqori
tezligi bilan tavsiflanadi (buyruqni bajarishga ketgan vaqt 50-300 mks),
boshqarishi esa
mikroprogramma negizidadir.
Har xil mikroelektronika texnologiyasini
qo’llash bir qancha turdagi har xil asosda qurilgan MP
vositalarini qurishga imkon beradi.
K-MOP texnologiyasi asosida qurilgan MP ga K587, K588 seriyadagi MP lar kiradi. Ular
qurilmalarni juda kam elektr energiyasini iste’mol qilishini ta’minlaydi.
n-MOP
texnologiyasi asosida qurilgan MP ga K580, K581, K1801 va shunga o’xshash seriyadagi
MP lar kiradi. Ular eng ko’p elektron komponentlarning (sxemalarning) joylanishini ta’minlaydi.
TTLDSH va ESL texnologiyasi asosida qurilgan MP ga K589, K1802 va shunga o
’xshash
seriyadagi
MP lar kiradi,
