|
Fotorezistlarning ruxsat etilganlik imkoniyati
|
| bet | 4/5 | | Sana | 02.12.2023 | | Hajmi | 57,57 Kb. | | #109909 |
Bog'liq jamshidbek1Fotorezistlarning ruxsat etilganlik imkoniyati. Yarim o‘tkazgichli asboblar va integral mikrosxemalarni ishlab chiqarishda fotorezistlarning qo‘llanish mezonlari deganda tasvirning mikrorelefini minimal o‘lchamdagi elementlarini yaratish imkoniyati tushuniladi. Fotorezistning ruxsat etilgan kengligi fotolitogafiya jarayonini amalga oshirish natijasida plastina sirtida 1 mm o‘lchamda bir xil qalinlikdagi bir-biriga kirishib ketmagan xoldagi o‘tkazilgan chiziqlar soni bilan aniqlanadi. Taglik sirtida l kenglikdagi fotorezist chizig‘ini xosil qilish kerak bo‘lsin. Chiziqlar orasidagi minimal o‘lcham chiziqning qalinligiga tengligini xisobga olgan xolda ruxsat etilganlik imkoniyatini quyidagi ifoda orqali aniqlashimiz mumkin:
Agar yarim o‘tkazgichli asbob yoki mirosxemani tayyorlash uchun l=1 mkm ga teng bo‘lgan minimal o‘lchamli tasvir relefi kerak bo‘lsa, fotorezistning ruxsat etilganlik imkoniyati R=1/(2*0.001)=500 chiz/mm ga qiymatga ega bo‘ladi.
Fotolitografik jarayonning nosozliklarini aniqlashni tadqiq qilish
Fotorezist yordamida fotoandozadan dastlabki taglikka tasvirni ko‘chirib o‘tishni kontaktli fotolitografiyadan tashqari proyeksion optik fotolitografiya yordamida amalga oshirish mumkin. Proyeksion fotolitografiyada fotoandozani taglik bilan kontaktlash operatsiyasi qo‘llanilmaydi. Bu xolatda fotoandozalarning chidamliligi nazariy jixatdan cheksiz bo‘lib qoladi.
Fotolitografiyaning proyeksion usuli kontaktli fotolitogafiya usulida duch kelinadigan kamchiliklarni bartaraf etish imkoniyatini beradi. Proyeksion usulda fotoandozadan tasvirni taglik yuzasiga ko‘chirib o‘tish maxsus yuqori imkoniyatga ega bo‘lgan ob’yektiv yordamida proyeksiyalanadi( 8.1-rasm. Optik proyeksion fotolitografiya sxemasi.
Kontaktli fotolitografiyada dastlabki monokristall taglikda tasvirni xosil qilish jarayonini fotorezist yordamida amalga oshirish ishlari ko‘rib chiqiladi. Bu jarayon fotoandoza va monokristall taglik o‘rtasida kontaktni, ya’ni aloqani, bog‘lanishni o‘zida mujassamlashtirgan va shuning uchun xam kontaktli fotolitografiya deb yuritiladi.
Fotolitografiyani planar texnologiyada qo‘llash bitta taglikda juda xam ko‘p sonli (o‘n yoki yuz minglab) diskret elementlarni va murakkab sxemalarni olish imkoniyatini beradi.
Kontaktli fotolitografiya texnologik jarayoni 8.2- rasmda keltirilgan va u quyidagi operatsiyalarni o‘z ichiga oladi:
Dastlabki taglikni yuzasini tayyorlash;
Taglik ustiga fotorezist qatlamini o‘tqazish;
Fotorezisstni birinchi quritish- plyonka xosil qilish;
Fotoandoza tasvirini dastlabki taglikka qoplash;
Fotorezistni kontakt usuli bilan eksponirlash;
Fotorezistni ko‘rintirish;
Fotorezistni ikkinchi quritish- polimerlash;
Fotorezist plyonkasida tasvir relefini nazorat qilish;
Taglikni yedirish;
Fotorezist plyonkasini taglik sirtidan olish;
Taglikdagi tasvir relefini nazorat qilish.
8.2-rasm. Kontaktli fotolitografiya jarayoni sxemasi.
|
| |
