103
bir aralashmaga ega bo‘ladi. Bu aralashmaning tarkibiga qarab yarim o‘tkazgich
teshikli (p-tipli) yoki elektronli (n-tipli) o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lishi mumkin.
Bu o‘tkazuvchanlik ishlatish jarayonida asosiy rolni o‘ynagani uchun aralashmali
yarim o‘tkazgichlarning zonalar parametrlarini
aniqlash hozirgi zamon
elektronikasi, umuman asbobsozlik uchun katta ahamiyatga ega bo‘ladi. UBES
usulidan foydalanib kerakli ma’lumotlar olish mumkin. 4.7-rasmda n-tipli yarim
o‘tkazgich va kollektor orasidagi vujudga keladigan potensiallar
farqi va boshqa
energetik bog‘lanishlar ko‘rsatilgan. Bu keltirilgan sxema asosida energiyalar
orasidagi muvozanatlarni quyidagicha ifodalash mumkin:
.
2
,
2
0
max
max
d
я
к
я
к
я
d
я
я
E
Ф
Ф
V
e
Ф
V
e
eV
E
eV
Ф
eV
h
Bu yerda (4.16) dan yarim o‘tkazgichning
fotoelektron chiqish ishini
aniqlash mumkin, undan keyin esa (4.17) dan foydalanib donor sathlarning o‘rnini
(ya’ni YED ni) aniqlash mumkin.
Shuni ta’kidlash lozimki, fotoelektronlar tarkibida donor sathlar yoki
akseptor sathlar borligi tufayli vujudga keladigan fotoelektronlarning miqdori juda
kam bo‘ladi. Ularni qayd qilish uchun yuqori darajadagi tokni kuchaytira oladigan
maxsus kuchaytirgichli tizimlar ishlatiladi. Bu sathlardan
chiqqan fotoelektronlar
hosil qilgan toklari valent zonadan uchib chiqayotgan fotoelektronlar hosil
qiladigan toklarga nisbatan juda kichik bo‘lishiga qaramasdan ularni katta aniqlik
bilan qayd qilish mumkin. Chunki donor sathlar hosil qiladigan cho‘qqilar
kuzatiladigan holatlar valent elektronlar spektridan energetik
jihatdan sezilarli
(
0,6 эВ) farq qiladi. Akseptorli yarim o‘tkazgichlarda esa bu sathlardan
chiqayotgan fotoelektronlar hosil qilgan cho‘qqi E
V
ga
juda yaqin joylashgan
bo‘ladi va bu cho‘qqini valent elektronlarning spektridan ajratib qarash birmuncha
qiyinchilik uyg‘otadi.
Yarim o‘tkazgichlarning boshqa parametrlari esa aralashmasiz yarim
o‘tkazgichlarniki kabi aniqlanadi.
(4.16)
(4.17)
104
e
V
eV
0
eV
max
h
e
V
Ф
к
=
к
Е
В
Е
С
Е
Д
Е
V
Е
g
Е
d
Е
В
4.7-rasm. n – tipdagi yarim o‘tkazgich uchun tashqi fotoeffektning energetik
sxemasi.
Shuni ta’kidlash lozimki, yarim o‘tkazgichlarda
yuza qismning holati hajm
holatidan farq qilgani uchun zonalarning egilishi ro‘y beradi. UBES yordamida bu
egilish kattaligini ham aniqlash mumkin.
