• U0XAL
  • 0,5(t0K + t1K)
  • mikrosxema holati teskari holatga o‘zgaradigan kirishdagi ma’lum kuchlanish – bo‘sag‘aviy kuchlanish UBO‘S




    Download 1,07 Mb.
    bet4/9
    Sana21.05.2024
    Hajmi1,07 Mb.
    #248898
    1   2   3   4   5   6   7   8   9
    Bog'liq
    12-MA\'RUZA

    mikrosxema holati teskari holatga o‘zgaradigan kirishdagi ma’lum kuchlanish – bo‘sag‘aviy kuchlanish UBO‘S;

    • mikrosxema holati teskari holatga o‘zgaradigan kirishdagi ma’lum kuchlanish – bo‘sag‘aviy kuchlanish UBO‘S;
    • kirish bo‘yicha birlashish koeffisienti m (kirishlar soni);
    • chiqish bo‘yicha tarmoqlanish koeffisienti n (yuklama qobiliyati yoki mazkur IMS chiqishiga ulash mumkin bo‘lgan xuddi shunday mirosxemalar soni);
    • UKIR= U0 va UKIR= U1 larga mos keluvchi kirish toklari I0KIR va I1KIR ;
    • xalaqitlarga bardoshligi – yuqori U1XAL va past U0XAL kirish kuchlanish darajasi bo‘yicha mumkin bo‘lgan maksimal xalaqit kuchlanish qiymati;

    manbadan iste’mol qilinayotgan quvvat R;

    • manbadan iste’mol qilinayotgan quvvat R;
    • YeM kuchlanish va IM tok manbalari;
    • «0» holatdan «1» holatga, yoki aksincha o‘tishdagi qayta ulanish kechikish vaqti;
    • qayta ulanishlarning (tezkorlik) o‘rtacha kechikish vaqti - 0,5(t0K + t1K).
    • Zamonaviy statik tizimlarning asosiy negiz elementi bo‘lib Shottki diodlari qo‘llanilgan TTM, I2M, EBM, MDYa – tranzistorlarda (yoki r – kanalli MDYa, yoki n – kanalli MDYa) yasalgan mantiq, komplementar MDYa – tranzistorlarda (KMDYa) yasalgan mantiq elementlari hisoblanadi.

    Raqamli integral mikrosxema negiz elementlariga qo‘yiladigan asosiy talab – ularninng tezkorligi, kichik sochilish quvvati, katta joylashtirish zichligi (yagona kristall sirtida joylashgan elementlar soni) va tayyorlanishni texnologikligi hisoblanadi.

    • Raqamli integral mikrosxema negiz elementlariga qo‘yiladigan asosiy talab – ularninng tezkorligi, kichik sochilish quvvati, katta joylashtirish zichligi (yagona kristall sirtida joylashgan elementlar soni) va tayyorlanishni texnologikligi hisoblanadi.
    • Yuqorida sanab o‘tilgan negiz elementlar, u yoki bu, yoki bir necha parametrlariga ko‘ra bir – biridan ustun tursa, boshqa parametrlariga ko‘ra yomonroq hisoblanadi.
    • IMS negiz mantiqiy elementi asosi bo‘lib, qayta ulagichlar sifatida qo‘llaniladigan biror elektron kalit hizmat qilishi mumkin. Qayta ulagichlar sifatida qo‘llaniladigan yarim o‘tkazgichli asboblarga quyidagi umumiy talablar qo‘yiladi: birdan katta bo‘lgan kuchaytirish koeffisienti;

    Download 1,07 Mb.
    1   2   3   4   5   6   7   8   9




    Download 1,07 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    mikrosxema holati teskari holatga o‘zgaradigan kirishdagi ma’lum kuchlanish – bo‘sag‘aviy kuchlanish UBO‘S

    Download 1,07 Mb.