Mantiqiy integral mikrosxemalar parametrlari. Reja

1 2 3 4 5 6 7 8 9

Bog'liq
12-MA\'RUZA

axborot uzatish tizimining bir tomonlamaligi; kirish va chiqish bo‘yicha katta tarmoqlanish koeffisientlari; qayta ulanishlarning katta tezligi; kichik iste’mol quvvati. Elektron kalitlar sifatida kremniyli bipolyar va maydoniy tranzistorlar qo‘llaniladi. Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalitlar kichik sochilish quvvatiga ega bo‘lsalar, bir vaqtning o‘zida bipolyar tranzistorlarda bajarilgan elektron kalitlarning qo‘llanilishi ularning tezkorligini oshirishga imkon yaratadi.

axborot uzatish tizimining bir tomonlamaligi; kirish va chiqish bo‘yicha katta tarmoqlanish koeffisientlari; qayta ulanishlarning katta tezligi; kichik iste’mol quvvati. Elektron kalitlar sifatida kremniyli bipolyar va maydoniy tranzistorlar qo‘llaniladi. Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalitlar kichik sochilish quvvatiga ega bo‘lsalar, bir vaqtning o‘zida bipolyar tranzistorlarda bajarilgan elektron kalitlarning qo‘llanilishi ularning tezkorligini oshirishga imkon yaratadi.
12.3. Bipolyar tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalar
BT da yasalgan sodda kalit sxemasi 2 – rasmda keltirilgan. Yuklama qarshiligi RK emitteri umumiy shinaga ulangan tranzistorning kollektor zanjiriga ulangan. Kalit ikkita turg‘un holatga ega bo‘lishi kerak: ochiq va berk.

Ochiq kalit holatiga tranzistorning to‘yinish yoki aktiv ish rejimi, berk holatga esa - berkilish rejimi mos keladi.
Agar tranzistor bazasiga manfiy kuchlanish berilsa (UKIR0V), u holda emitter va kollektor o‘tishlar teskari yo‘nalishda ulangan bo‘ladi, ya’ni berk holatda bo‘ladi. Bu vaqtda tranzistor kollektor tokining berkilish rejimida ishlaydi va kalit uzilgan holatda bo‘ladi. Berkilish rejimida tranzistor toklari mos ravishda
(12.1)
Natijada tranzistor kollektoridagi kuchlanish
(12.)
bo‘lib, yuklamaning manbadan uzilgan holatiga mos keladi (kalit uzilgan).

Download 1,07 Mb.

1 2 3 4 5 6 7 8 9

Download 1,07 Mb.