• 12.4. Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar
  • Mantiqiy integral mikrosxemalar parametrlari. Reja




    Download 1,07 Mb.
    bet7/9
    Sana21.05.2024
    Hajmi1,07 Mb.
    #248898
    1   2   3   4   5   6   7   8   9
    Bog'liq
    12-MA\'RUZA

    Asosiy dinamik parametrlaridan biri bo‘lib, sxemaning ulanish va uzilish vaqtidagi qayta ulanish jarayonlari bilan aniqlanadigan tezkorligi hisoblanadi. Sxema chiqishidagi kuchlanishning bo‘sag‘aviy qiymati, kirish signalini U0 dan U1 ga o‘zgartirganda ma’lum t1K vaqtiga, U1 dan U0 ga o‘zagtirganda t0K vaqtiga kechikadi. Kechikishlarga tranzistorlar qayta zaryadlanish sig‘imi va yuklama sabab bo‘ladi. Sxema tezkorligi o‘rtacha kechikish vaqti bilan aniqlanadi

    • Asosiy dinamik parametrlaridan biri bo‘lib, sxemaning ulanish va uzilish vaqtidagi qayta ulanish jarayonlari bilan aniqlanadigan tezkorligi hisoblanadi. Sxema chiqishidagi kuchlanishning bo‘sag‘aviy qiymati, kirish signalini U0 dan U1 ga o‘zgartirganda ma’lum t1K vaqtiga, U1 dan U0 ga o‘zagtirganda t0K vaqtiga kechikadi. Kechikishlarga tranzistorlar qayta zaryadlanish sig‘imi va yuklama sabab bo‘ladi. Sxema tezkorligi o‘rtacha kechikish vaqti bilan aniqlanadi
    • Sxema iste’mol qilayongan tok ortsa, sig‘imlarning katta qayta zaryadlanish tezligi hisobiga qayta ulanish vaqti ortadi. Lekin bu vaqtda sxemaning iste’mol quvvati ortadi. Shu sababli o‘rtacha kechikish vaqti qayta ulanish ishi AQ=RtK deb ataluvchi kattalik bilan aniqlanadi. Zamonaviy IMSlar uchun Aq=10-12-10-14 Dj.

    12.4. Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar

    • 12.4. Maydoniy tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar
    • Kalit elementi sifatida odatda kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlar qo‘llaniladi, chunki ularda UZI nolga teng bo‘lganda uzilgan kalit holati ta’minlanadi (tranzistor berk).
    • Maydoniy tranzistorlar asosida yasalgan mantiqiy elementlar negizida aktiv element va yuklama MDYa – tranzistorda bajarilgan kalit sxema yotadi. Aktiv va yuklamadagi tranzistorlar bir xil yoki har xil o‘tkazuvchanlik turiga ega bo‘lgan kanaldan tashkil topgan bo‘lishi mumkin. Aktiv tranzistor zatvoriga yuqori potensialga (mantiqiy bir darajasi) berilsa uning stokidagi qoldiq kuchlanish 50-100 mV ni (mantiqiy nol darajasi) ni tashkil etadi. Bu bilan inversiya amalga oshiriladi.

    Download 1,07 Mb.
    1   2   3   4   5   6   7   8   9




    Download 1,07 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Mantiqiy integral mikrosxemalar parametrlari. Reja

    Download 1,07 Mb.