Mantiqiy integral mikrosxemalar parametrlari. Reja

Ikkala tranzistor yagona kirish signali bilan boshqariladi. Lekin, bu tranzistorlarning bo‘sag‘aviy kuchlanish UBO‘S qiymatlari bir – biriga teskari ishoraga ega bo‘lganligi sababli, kirish darajalarining ixtiyoriy qiymatida bu tranzistorlar turli holatda bo‘ladilar. Bir tranzistor ochiq bo‘lganda, ikkinchisi berk bo‘ladi. Haqiqatdan ham, agar kirishga X=U0KIR signal berilsa, VT0 zatvori asosga nisbatan manfiy potensialga ega bo‘ladi U0KIR-EM=-EM.

• Ikkala tranzistor yagona kirish signali bilan boshqariladi. Lekin, bu tranzistorlarning bo‘sag‘aviy kuchlanish UBO‘S qiymatlari bir – biriga teskari ishoraga ega bo‘lganligi sababli, kirish darajalarining ixtiyoriy qiymatida bu tranzistorlar turli holatda bo‘ladilar. Bir tranzistor ochiq bo‘lganda, ikkinchisi berk bo‘ladi. Haqiqatdan ham, agar kirishga X=U0KIR signal berilsa, VT0 zatvori asosga nisbatan manfiy potensialga ega bo‘ladi U0KIR-EM=-EM.
• 4 – rasm.

Demak, VT0 ochiq holatda bo‘ladi. Bu vaqtning o‘zida VT1 tranzistor zatvoridagi potensial asosga nisbatan bo‘sag‘aviy kuchlanishdan kichik qiymatga ega bo‘ladi va bu tranzistor berkiladi. Agar kirishga x=U1KIR signal berilsa, VT1 ochiladi, VT0 tranzistor esa berkiladi, chunki endi uning zatvoridagi kuchlanish asosga nisbatan quyidagiga teng bo‘ladi

• Demak, VT0 ochiq holatda bo‘ladi. Bu vaqtning o‘zida VT1 tranzistor zatvoridagi potensial asosga nisbatan bo‘sag‘aviy kuchlanishdan kichik qiymatga ega bo‘ladi va bu tranzistor berkiladi. Agar kirishga x=U1KIR signal berilsa, VT1 ochiladi, VT0 tranzistor esa berkiladi, chunki endi uning zatvoridagi kuchlanish asosga nisbatan quyidagiga teng bo‘ladi

Shunday qilib, ixtiyoriy stasionar holatda sxema tranzistorlaridan biri berk holatda bo‘ladi, shu sababli sxema manbadan deyarli quvvat iste’mol qilmaydi. Ammo sxema qayta ulanish jarayonida, biror juda kichik vaqt mobaynida ikkala tranzistor ochiq holatda bo‘ladi, chunki ikkinchisi berkilib ulgurmagan bo‘ladi. Komplementar MDYa – tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalar bir turdagi MDYa – tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalarga nisbatan o‘n marta kam quvvat iste’mol qiladi. Lekin, sxemalarning tezkorligi bir xil bo‘lib kalit chiqish sig‘imining qayta zaryadlanish vaqti bilan belgilanadi.

• Shunday qilib, ixtiyoriy stasionar holatda sxema tranzistorlaridan biri berk holatda bo‘ladi, shu sababli sxema manbadan deyarli quvvat iste’mol qilmaydi. Ammo sxema qayta ulanish jarayonida, biror juda kichik vaqt mobaynida ikkala tranzistor ochiq holatda bo‘ladi, chunki ikkinchisi berkilib ulgurmagan bo‘ladi. Komplementar MDYa – tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalar bir turdagi MDYa – tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalarga nisbatan o‘n marta kam quvvat iste’mol qiladi. Lekin, sxemalarning tezkorligi bir xil bo‘lib kalit chiqish sig‘imining qayta zaryadlanish vaqti bilan belgilanadi.